Neueste Diskrete Halbleiter
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Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive TVS Diode
09.10.2026
09.10.2026
Protects sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning.
Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden
09.10.2026
09.10.2026
Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.
Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET
09.09.2026
09.09.2026
Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 55mΩ und 48,3A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH65N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200 V, 35 mΩ und 67 A SiC- MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 21mΩ und 102A SiC MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 13,5 mΩ und 147A SiC-MOSFET empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET
09.02.2026
09.02.2026
1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.
Microchip Technology HV-D3 mSiC® Leistungsmodule
09.01.2026
09.01.2026
Vereinfacht und beschleunigt den Einsatz von SSTs in Rechenzentren und anderen Hochspannungsanwendungen.
IXYS SK002xSx Empfindliche SCRs
08.27.2026
08.27.2026
Empfindliche SCRs mit Unterstützung für Mikroprozessorantrieb und hohe Störsicherheit.
onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.
onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs
08.25.2026
08.25.2026
Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.
STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phasen-Wechselrichter und IGBT SLLIMM
08.19.2026
08.19.2026
Dieses Bauteil eignet sich ideal für Motorantriebe, die in hartschaltenden Schaltungen mit bis zu 20 kHz betrieben werden.
Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode
08.17.2026
08.17.2026
Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.
Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode
08.17.2026
08.17.2026
Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.
Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.
Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode
08.14.2026
08.14.2026
Features a low forward voltage drop in a low-profile package.
Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode
08.14.2026
08.14.2026
Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.
Nexperia 400V/650V DPAK Recovery-Gleichrichter
08.12.2026
08.12.2026
Hyperschnelle und ultraschnelle DPAK Recovery-Gleichrichter für die Hochspannungs-Leistungsumwandlung.
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08.12.2026
08.12.2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics SGT1D5R10MEA PowerGaN-Transistor
08.11.2026
08.11.2026
Bietet extrem niedrige Leitungsverluste, Hochstromfähigkeit und ultraschnellen Schaltbetrieb.
STMicroelectronics STH4N150-2AG n-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.10.2026
08.10.2026
Darauf ausgelegt, eine hohe Spannung und Robustheit für Fahrzeuganwendungen zu gewährleisten.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN-Transistor
08.10.2026
08.10.2026
Ausgelegt für hocheffiziente und leistungsstarke Schaltapplikationen.
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