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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7G04 40-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
Bei diesen Bauteile handelt es sich um gemäß AEC-Q101 zugelassene MOSFETs mit 40 V VDSS und ±40 A IDim Automobilstandard.
ROHM Semiconductor JMZV8.2B 5-mA-Zener-Dioden
08.19.2025
08.19.2025
Die in einem kleinen Power-Mold-Gehäuse erhältlichen Bauteile sind für Applikationen zur Spannungsregelung geeignet
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROMs
08.19.2025
08.19.2025
Diese Bauteile sind 16Kbit serielle EEPROMs mit einer SPI BUS-Schnittstelle und 4 Millionen Schreibzyklen.
ROHM Semiconductor RH7L03 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von 60 V und ID von ±35 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 217
Alliance Memory AS4C512M16D4D/1G8D4D 8Gb DDR4 SDRAMs
08.10.2026
08.10.2026
High-speed dynamic random-access memory is internally organized with eight banks or sixteen banks.
Diodes Incorporated DML1012ALDSQ Single-Channel Smart Load Switch
08.10.2026
08.10.2026
The device includes an N-channel MOSFET for up to VBIAS = 1.5V input-voltage operation.
Sensirion SEK-SEN69C Evaluation Kit
08.10.2026
08.10.2026
Evaluation kit for SEN69C all-in-one indoor air quality sensing.
Analog Devices Inc. ADM33051E High-Speed CAN FD Transceiver
08.10.2026
08.10.2026
A robust high-speed, low-power CAN transceiver operating with a 3.3V supply.
STMicroelectronics LDQ44 400mA High Accuracy LDO Voltage Regulator
08.10.2026
08.10.2026
The included features make the LDQ44 suitable for low-power, battery-operated applications.
STMicroelectronics STH4N150-2AG N-Channel Power MOSFET
08.10.2026
08.10.2026
Designed to ensure a high level of voltage and robustness for the automotive applications.
STMicroelectronics SGT3D5R10MEB PowerGaN Transistor
08.10.2026
08.10.2026
Designed for high-efficiency and high-power switching applications.
Nisshinbo NC2650 1A Step-Down Switching Regulator
08.10.2026
08.10.2026
Step-down switching regulator using CMOS-based with PWM/PFM automatic alternating function.
Infineon Technologies PSOC™ Control C1 Microcontrollers
08.06.2026
08.06.2026
32-bit control MCUs with Arm® Cortex®-M0 CPU and MATH coprocessor.
Infineon Technologies CoolGaN™ BDS Evaluation Boards
08.06.2026
08.06.2026
Compact daughter boards for evaluating 40V GaN bidirectional switches.
Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN Evaluation Board
08.06.2026
08.06.2026
Gate driver evaluation board for CoolGaN™ bidirectional switch designs.
Texas Instruments TPS7H3xx4EVM-CVAL Evaluation Modules
08.04.2026
08.04.2026
Radiation-tolerant supervisor evaluation modules with flexible rail monitoring.
Analog Devices Inc. MAX22915 Oktaler Industrie-High-Side-Schalter
08.04.2026
08.04.2026
Eingebauter 7-Bit-ADC zur Überwachung der Chip-Temperatur des Ausgangsstroms pro Kanal oder der VDD-Versorgungsspannung.
NXP Semiconductors FRDM i.MX 95 Pro Development Board
08.04.2026
08.04.2026
Evaluiert den i.MX 95 Applikationsprozessor in einem kompakten Gehäuse von 19 mm x 19 mm.
Texas Instruments TRF2001 ISM Band Multiprotocol & Wi-SUN RF FEM
08.04.2026
08.04.2026
A high-performance RF FEM for low-power wireless applications in the sub-1GHz band.
Texas Instruments TPS25752A Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Unterstützt Single-Port-USB Type-C® und Power Delivery-Applikationen (PD) im Source-Only-Modus.
Analog Devices Inc. MAX22915EVKIT Evaluationskit
08.04.2026
08.04.2026
Bewährtes Design zur Evaluierung des MAX22915, eines 8-Kanal-High-Side-Schalters mit erweiterten Diagnosefunktionen.
Analog Devices Inc. MAX22215 Evaluationsboard
08.04.2026
08.04.2026
Zur Evaluierung des MAX22215 in Kombination mit dem Trinamic-Evaluierungsboardsystem vorgesehen.
Würth Elektronik WL-OCHS Hochgeschwindigkeits-Optokoppler
08.04.2026
08.04.2026
Bieten eine sehr hohe Übertragungsgeschwindigkeit im MHz- bis MBit/s-Bereich.
Texas Instruments ISO7741U Evaluierungsmodul
08.04.2026
08.04.2026
Galvanisch getrenntes Vierkanal-Evaluierungsmodul in einem Ultra-Wide-SSOP-Gehäuse (DUW-16).
Texas Instruments ESD2CANFD24W-Q1 ESD Protection Diodes
08.04.2026
08.04.2026
Automotive ESD protection diodes for CAN, CAN FD, CAN SIC, and CAN XL networks.
Texas Instruments BQ25640EVM Evaluierungsmodul
08.03.2026
08.03.2026
Komplettes Evaluierungssystem für den BQ25640 IC, ein Schaltmodus-Abwärtswandler-Einzellen-Ladegerät.
Chip Quik DFN-6 to DIP-6/10 SMT Adapters
08.03.2026
08.03.2026
Constructed using FR-4 material and offer a UL 94V-0 flammability rating.
STMicroelectronics EVL9965T/EVL99BM2T Promotionsboards
07.30.2026
07.30.2026
Diese Promotionsboards integrieren den L9965T oder L99BM2T BMS-Transceiver in ein BMS-System.
NXP Semiconductors TJA1046 Duale Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver
07.30.2026
07.30.2026
Zwei Hochgeschwindigkeits-CAN-Transceiver mit Standby-Modus und CAN-FD-Unterstützung.
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