Angewendete Filter:
Hersteller
= ROHM Semiconductor
Zurück zur Registerkarte Produkte zum Ändern Ihrer aktuellen Filter.
ROHM Semiconductor 600V Super-Junktion (SJ) MOSFETs
07.21.2026
07.21.2026
Kompakte Gehäuseoptionen mit niedrigem Profil, die eine hervorragende Dissipation gewährleisten.
ROHM Semiconductor Hochdichte SiC-Leistungsmodule
04.10.2026
04.10.2026
Die TRCDRIVE-Packung™, DOT-247- und HSDIP20-Gehäuse tragen zur leistungsstarken Leistungsumwandlung bei.
ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ mit geformten Modulen
03.17.2026
03.17.2026
Mit 1.200 V Nennspannung in einem 41,6 mm × 52,5 mm Gehäuse und integrierten SiC-MOSFETs der 4. Generation.
ROHM Semiconductor TLR2728YFJ-C Operationsverstärker
12.11.2025
12.11.2025
Rail-to-Rail-Eingang-/Ausgang- und Hochgeschwindigkeits-Dual-CMOS-Operationsverstärker.
ROHM Semiconductor LMRx802-LB Operationsverstärker
11.24.2025
11.24.2025
Der Operationsverstärker zeichnet sich durch geringes Rauschen, eine niedrige Eingangs-Offsetspannung und einen niedrigen Eingangsruhestrom aus.
ROHM Semiconductor RJ1P10BAT p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -100 V und einen ID-Wert (VDS = 10 V) von ±105 A.
ROHM Semiconductor RN789FM PIN-Diode
11.18.2025
11.18.2025
Kleines Gehäuse, geeignet für eine automatische Verstärkungsregelungsschaltung und einen Antennenverstärker/Antennendämpfungsregler.
ROHM Semiconductor BD79124MUF-C A/D-Wandler
11.18.2025
11.18.2025
Universeller 12-Bit-A/D-Wandler mit 8 Kanälen und sukzessiver Approximation.
ROHM Semiconductor RH7G03BBJFRA p-Kanal-Leistungs-MOSFET
11.18.2025
11.18.2025
Dieser MOSFET hat einen VDSS-Wert von -40 V und einen ID-Wert (VDS = -10 V) von ±22 A.
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-Typ DC/DC-Wandler-ICs
11.03.2025
11.03.2025
Verfügen über einen integrierten Schalt- MOSFET von 730 V und werden direkt vom AC-Hochspannungsnetz betrieben.
ROHM Semiconductor 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs
10.17.2025
10.17.2025
Diese Bauteile erhöhen die Schaltfrequenz und dadurch die erforderlichen Kondensatoren, Reaktoren und andere Bauelemente verringern.
ROHM Semiconductor RD3x n-Kanal-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen
10.16.2025
10.16.2025
AEC-Q101-qualifizierte MOSFETs mit niedriger Durchlassspannung, schneller Recoveryzeit und hohem Ableitvermögen.
ROHM Semiconductor BM2P06xJ-Z PWM-Typ-DC/DC-Wandler-ICs
09.26.2025
09.26.2025
Für kompakte und effizient isolierte AC/DC-Power-Strip -Applikationen ausgelegt.
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G115MUV GaN-HEMT-Leistungsschaltung-ICs zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003 Evaluierungsboard
08.27.2025
08.27.2025
Das Board wurde entwickelt, um die Fähigkeiten des BM3G107MUV GaN HEMT Power Stage IC zu evaluieren und zu demonstrieren.
ROHM Semiconductor RQxAT P-Kanal-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
Die Bauteile verfügen über ein Gehäuse zur Oberflächenmontage mit niedrigem On-Widerstand und sind zu 100 % Rg- und UIS-geprüft.
ROHM Semiconductor RF202LB2S superschnelle Freilaufdiode
08.21.2025
08.21.2025
Eine superschnelle Freilaufdiode vom Typ Silizium-Epitaxie-Planar mit niedriger VF und geringen Schaltverlusten.
ROHM Semiconductor RJ1x10BBG Leistungs-MOSFETs
08.21.2025
08.21.2025
N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit niedrigem Einschaltwiderstand und einem Hochleistunggehäuse.
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1.700-V-N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET
08.21.2025
08.21.2025
Ein mit einer Drain-Source-Spannung von 1.700 V (VDSS) und einem Dauersenkenstrom von 3,9 A (ID) bewerteter SiC-MOSFET.
ROHM Semiconductor RNxMFH PIN-Dioden im Automobilstandard
08.21.2025
08.21.2025
Dioden im Automobilstandard mit ultrakleinem Formkörper, die für Hochfrequenzschaltungen geeignet sind.
ROHM Semiconductor RN242SM PIN-Diode
08.20.2025
08.20.2025
Bietet eine niedrige Kapazität und ein extrem ultrakleines Gehäuse, das für Hochfrequenzschaltungen geeignet ist.
ROHM Semiconductor RH7L04 60 V N-Kanal Leistungs-MOSFETs
08.19.2025
08.19.2025
AEC-Q101-zugelassene MOSFETs für Fahrzeuganwendungen mit 60 V VDSS und ±40 A ID
ROHM Semiconductor RQ5G040AT -40-V-P-Kanal-Kleinsignal-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
MOSFETs mit einer Drain-Source-Spannung (VDSS) von -40 V und einem Dauersenkenstrom (ID) von ±4,0 A.
ROHM Semiconductor RH7E04BBJFRA -30-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein Automobilstandard-MOSFET, das für VDSS von -30 V und ID von ±40 A ausgelegt und gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
ROHM Semiconductor RH7P04BBKFRA 100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET
08.19.2025
08.19.2025
Ein MOSFET für Fahrzeuganwendungen mit einer Spannung VDSS von 100 V und einem Strom ID von ±40 A, das gemäß AEC-Q101 zugelassen ist.
Ansicht: 1 - 25 von 218
STMicroelectronics EVL9965A/EVL99BM218 Promotional Boards
07.30.2026
07.30.2026
Promotional boards for the L9965A/L99BM218 devices in battery management systems.
Infineon Technologies DEMO_HV_PACKAGE Evaluation Board
07.30.2026
07.30.2026
Explore high-voltage packages with CoolSiC™ and CoolMOS™ for efficient, reliable power performance.
Chip Quik Extra-Narrow SMT-to-DIP Adapters
07.29.2026
07.29.2026
Designed to replace obsolete DIP ICs with newer surface-mount components.
STMicroelectronics AEK-MOT-8DCMH98 Half-Bridge DC Motor Driver
07.28.2026
07.28.2026
Designed to drive eight configurable channels in half-bridge or four channels in full-bridge mode.
STMicroelectronics STEVAL-PDUBV1 Power Distribution ECU
07.28.2026
07.28.2026
Based on the SPC58NG84E7 Chorus 6M MCU and STi2Fuse devices.
STMicroelectronics AEK-POW-PDUMINI PDU Board
07.28.2026
07.28.2026
Manages low-voltage power distribution in vehicles by consolidating connections in a compact design.
Renesas Electronics PTX205RIOTEB Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Combines the Config Tool GUI to enable easy, fast evaluation of PTX205R NFC IC performance.
Infineon Technologies REF_LEDP_ANI_EXT LITIX™ LED Reference Board
07.27.2026
07.27.2026
Animated exterior lighting reference board for automotive LITIX™ LED platform evaluation.
Infineon Technologies KIT_HB_GaN Half-bridge Daughterboards
07.27.2026
07.27.2026
Integrate different gate drive solutions for CoolGaN™ transistors 650V G5.
Renesas Electronics EBC10298 PSR GaN SIP
07.27.2026
07.27.2026
A combination of a PSR and GaN, with up to 65W of power and a low BOM cost.
STMicroelectronics EVL-L98GD8E Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Evaluates the L98GD8E, a 48V-rated smart power device designed in advanced BCD technology.
Infineon Technologies LITIX™ SHIELD_LED_PLATFORM Arduino Shield
07.27.2026
07.27.2026
Arduino shield for evaluating LITIX™ LED platform reference designs.
Renesas Electronics RRW2111x GaN System-in-Packages (SiPs)
07.27.2026
07.27.2026
700V GaN integrated primary side QR flyback regulators for 25W/45W/65W applications.
Renesas Electronics EBC10293 240W PD3.2 EPR Design Board
07.27.2026
07.27.2026
Includes with RRW11011, RRW40120, RRW43110, and RRW30120 converters.
Renesas Electronics EBC10296 & EBC10320 SSR + GaN SIPs
07.27.2026
07.27.2026
Combo solution of SSR + GaN with up to 100W power design.
Infineon Technologies REF_500W_CYCLO_BDSGAN Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Serves as a solar microinverter reference design based on cyclo-converter topology.
Infineon Technologies SPOC™ Wire Guard Power Switch IC
07.27.2026
07.27.2026
Features a 24‑bit SPI interface with CRC and driving loads up to a nominal current of 34.5A.
Infineon Technologies DEMO_AC_ZVS_HVBDS Evaluation Board
07.27.2026
07.27.2026
Demonstrates the AC soft-switching capability of CoolGaN™ Bidirectional Switch (BDS) 650V G5.
Microchip Technology AVR32LA32 Curiosity Nano Evaluation Kit
07.27.2026
07.27.2026
Curiosity Nano board for evaluating AVR32LA32 microcontroller applications.
Microchip Technology AVR® LA AVR32LA14/20/28/32 Microcontrollers
07.24.2026
07.24.2026
Entry-level AVR LA MCUs for capacitive touch and low-power embedded designs.
Silicon Labs SiWG917Y Modul-Funkplatinen
07.23.2026
07.23.2026
Wi-Fi 6 und Bluetooth LE Funkplatinen für die drahtloseIoT- Entwicklung.
iC-Haus iC-MU Magnetic Off-Axis Position Encoders
07.22.2026
07.22.2026
Integrated with Hall sensors for two-track scanning and can log an absolute position.
iC-Haus iC-MU Evaluation Kits
07.22.2026
07.22.2026
Designed to evaluate the iC-MU magnetic off-axis position encoders.
Analog Devices Inc. LT8686S Abwärtsregler
07.22.2026
07.22.2026
Quad-Abwärtsregler mit koppelbaren Ausgängen und extrem niedrigem EMI-Betriebsverhalten.
Infineon Technologies Evaluation Kits for EiceDRIVER™ 2EDN Gate Drivers
07.21.2026
07.21.2026
Provides a test platform for dual-channel non-isolated gate driver IC EiceDRIVER™.
Ansicht: 1 - 25 von 8263
