Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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Toshiba N-Kanal/P-Kanal Leistungs-MOSFETs

03.31.2026

- Ideal für Hochgeschwindigkeitsschaltungen, Leistungsmanagement-Schalter DC/DC-Wandler und Motortreiber.

Toshiba TPH2R70AR5 N-Kanal-MOSFET

10.17.2025

- Ideal für hocheffiziente DC/DC-Wandler und erhältlich im SOP Advance (N)-Gehäuse.

Toshiba XCEZ-Zenerdioden für Fahrzeuge

08.29.2025

- Mit einer Verlustleistung von 150 mW und 300 mW und AEC-Q101-Qualifikation.

Toshiba TRSx SiC Schottky-Barriere-Dioden

04.04.2025

- Diese SiC Schottky-Barriere-Dioden haben eine repetitive Spitzensperrspannung (VRRM) von 1200 V.

Toshiba L-TOGL und S-TOGL AEC-Q 40 V/80 V/100 V n-Kanal-MOSFETs

10.14.2024

- Untergebracht im L-TOGL™ Gehäuse, um der wachsenden Nachfrage nach 48 V Batterien in Fahrzeugen gerecht zu werden.

Toshiba TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.13.2024

- Erhältlich in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale.

Toshiba TPH1400CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

09.10.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generation-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba TPH1100CQ5 n-Kanal-Silizium-MOSFETs

08.12.2024

- Verfügt über einen 8-Pin-SMT-Leistungs-MOSFET, der mit einem U-MOSX-H-Generations-Trench-Verfahren ausgelegt ist.

Toshiba UMOS9-H n-Kanal-Silizium-MOSFETs

05.13.2024

- Ideal für DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad, Schaltspannungsregler und Motortreiber.

Toshiba XCUZ Zenerdioden

01.23.2024

- Für die Verwendung in der Automobilindustrie ausgelegt, verfügt über eine Verlustleistung von 600 mW und ist AEC-Q101-qualifiziert.

Toshiba TRSx65H SiC-Schottky-Barriere-Dioden

07.26.2023

- Diese 650-V-Bauteile basieren auf der Technologie der dritten Generation, die Schottky-Metall verwendet.

Toshiba SSM14N956L MOSFET

06.09.2023

- Verfügt über einen niedrigen Source-to-Source-On-Widerstand und ist RoHS-kompatibel.

Toshiba XPQR3004PB 40 V 400 A Automotive-MOSFET

02.13.2023

- Bietet RDS(ON) von 0,23 mΩ (typisch) und Schwellenspannung (Vth) von 2 V bis 3 V, mit einer Fähigkeit von 400 A.

Toshiba CSLZ Zener-Dioden

11.21.2022

- In einem kleinen SL2-Gehäuse untergebracht.

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Filtern nach:

Texas Instruments ESD551/ESD551-Q1 Bidirektionale ESD-Dioden

10.27.2026

- Einkanalige bidirektionale ESD-Dioden für Stromleitungen, Datenleitungen und I/O-Ports.

ROHM Semiconductor RS4P063BPHZG n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit breitem SOA

10.23.2026

- Bietet einen erweiterten sicheren Betriebsbereich, der dazu beiträgt, sekundäre Durchschläge zu unterdrücken.

ROHM Semiconductor ESDxxVFM Transientenspannungsunterdrücker

10.23.2026

- Diese Bauteile mit Silizium-Epitaxial-Planarstruktur zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit und eine ultrakompakte Gehäuseform aus.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive-Field-Stop-Trench-IGBTs

10.22.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch geringe Schalt- und Leitungsverluste aus.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive-Field-Stop-Trench-IGBTs

10.22.2026

- Diese Bauteile zeichnen sich durch geringe Schalt- und Leitungsverluste aus.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Kanal-E-Mode-Feldeffekttransistor

10.19.2026

- Zeichnet sich durch einen geringen Durchlasswiderstand, eine sehr niedrige Gate-Schwellenspannung und ein schnelles Schaltverhalten aus.

Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode

10.05.2026

- Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.

Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray

10.01.2026

- Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD

Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie

09.22.2026

- Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.

IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09.22.2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung

09.15.2026

- Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09.14.2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode

09.10.2026

- Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.

Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

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