Neueste Diskrete Halbleiter – Mouser Österreich

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Arten von diskreten Halbleitern

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onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09.14.2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

onsemi NXH011F120M3F2 SiC-MOSFETs

08.25.2026

- EliteSiC-MOSFET-Vollbrückenmodule mit On-Widerstand von 11 mΩ und einer Nennspannung von 1.200 V.

onsemi 80-V-N-Einzelkanal-Leistungs-MOSFETs

08.25.2026

- Bieten einen niedrigen RDS(on) , um Leitungsverluste zu minimieren, sowie niedrige QG und Kapazität, um Treiberverluste zu minimieren.

onsemi EMD4DXV6 Digitaltransistoren (BRT)

07.30.2026

- Für den Ersatz eines einzelnen Bauteils und sein externes Widerstands-Bias-Netzwerk konzipiert.

onsemi NVNJWS1K6N061L N-Kanal-MOSFET

07.30.2026

- Verfügt über einen niedrigen RDS(on) und einen niedrige Gate-Schwellenwert mit integriertem ESD-Schutz.

onsemi GaNEXUS™ GaN-FETs

07.08.2026

- Wide-Bandgap-Materialeigenschaften für niedrige Gate- und Ausgangsladung, schnelles Schalten und einen verbesserten Wirkungsgrad.

onsemi NVBYST0D8N08X N-Einkanal-Leistungs-MOSFET

04.14.2026

- Optimiert für den Hochspannungsbetrieb und beständig gegen schnelles Schalten und hohe Stromlasten.

onsemi NTMFD0D9N02P1E MOSFET

04.06.2026

- Dual-n-Kanal-MOSFET mit niedrigem Rg für Schnellschaltungs-Applikationen.

onsemi NVMFD5873NL Dual-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

03.13.2026

- Für kompakte und effiziente Designs, einschließlich hoher thermischer Leistung, konzipiert.

onsemi NVBYST0D6N08X 80-V-N-Kanal Leistungs-MOSFET

12.26.2025

- Dieses Bauteil bietet einen niedrigen QRR und eine Body-Diode mit sanfter Wiederherstellung in einem TCPAK1012-Gehäuse (TopCool).

onsemi NVMFD5877NL Dual-n-Kanal-MOSFET

12.19.2025

- Entwickelt für kompakte und effiziente Designs mit hoher thermischer Leistung.

onsemi NxT2023N065M3S EliteSiC-MOSFETs

12.04.2025

- Diese MOSFETs zeichnen sich durch eine geringe effektive Ausgangskapazität und eine extrem geringe elektrische Ladung am GATE aus.

onsemi FDC642P-F085 Kleinsignal-MOSFET

11.25.2025

- Bietet eine Hochleistungstrench-Technologie für extrem niedrigen RDS(on) und schnelle Schaltgeschwindigkeit.

onsemi P-Kanal MOSFET mit niedrigem/mittlerem Spannungsbereich, Typ NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Hergestellt mit PowerTrench-Technologie für extrem niedrige RDS(on)-Schalt-Performance und Robustheit.

onsemi NVD6824NL Einzel-n-Kanal-MOSFETs

11.20.2025

- Die Bauteile bieten einen niedrigen RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten sowie eine hohe Strombelastbarkeit.

onsemi NVD5867NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.20.2025

- Das Bauteil verfügt über eine Drain-Source-Spannung von 60 V, einen Drain-Source-On-Widerstand von 39 mΩ und ist gemäß AEC-Q101 zugelassen.

onsemi NZ8P Zener-Schutzdioden

11.19.2025

- Entwickelt, um empfindliche elektronische Bauteile vor ESD- und Transientenspannungsereignissen zu schützen.

onsemi AFGB30T65RQDN IGBT

11.19.2025

- Bietet eine hohe Gütezahl bei geringen Leitungs- und Schaltverlusten.

onsemi NVMFS5832NL Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hochleistungs-MOSFET für Niederspannungsanwendungen, die eine effiziente Leistungsschaltung erfordern.

onsemi NVMFS5830NL Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET

11.19.2025

- Hocheffizienter Einzel-n-Kanal-Leistungs-MOSFET, entwickelt für anspruchsvolle Leistungsmanagementapplikationen.

onsemi NVMFWS0D4N04XM Einzelne Leistungs-MOSFETs mit N-Kanal

11.16.2025

- Verfügbar in einem 5 mm x 6 mm SO8-FL-Gehäuse mit kompaktem Design und AEC-Q101-Qualifikation.

onsemi NTK3139P P-Kanal-Einzel-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Erhältlich in einem Gehäuse mit einem 44 % kleineren Footprint und 38 % dünner als ein SC-89-Gehäuse.

onsemi NVNJWS200N031L Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

10.14.2025

- Das Bauteil verfügt über einen niedrigen RDS(on) und eine niedrige Gate-Schwelle und ist mit einer benetzbaren Flanke erhältlich.

onsemi AFGH4L60T120RWx-STD N-Kanal Field-Stop-VII-IGBTs

10.13.2025

- Das Bauteil bietet ein gutes Betriebsverhalten mit niedriger Durchlassspannung und geringen Schaltverlusten.

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Filtern nach:

ROHM Semiconductor RGA50TxX2HR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10.22.2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

ROHM Semiconductor RGA50TxX2EHR Automotive Field Stop Trench IGBTs

10.22.2026

- These devices feature low switching and conduction losses.

Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10.19.2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

10.14.2026

- 50Ω Eingangsangepasste diskrete GaN-auf-SiC HEMT, die von 30MHz-1215MHz an einer 28V Versorgungsspannung betrieben werden.

Qorvo QPD2562L GaN-HF-Leistungstransistor

10.06.2026

- Ein diskreter 200 W bis 300 W GaN-on-SiC-HEMT, der von 2,5 GHz bis 2,9 GHz und von 2,9 GHz bis 3,3 GHz arbeitet.

Qorvo QPD1426/QPD1426L GaN-HF-Leistungstransistoren

10.06.2026

- 220 W diskrete GaN-on-SiC HEMT, die im Frequenzbereich von 1,2 GHz bis 1,4 GHz arbeiten.

Littelfuse AK6-FB Axial bedrahtete TVS-Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse LTKAK1.5-L TVS Diode

10.05.2026

- Bietet eine Klemmenspannung, die niedriger als bei alternativen Technologien wie beispielsweise MOVs und GDTs ist.

Littelfuse AK8-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

10.05.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFET-Modul

10.02.2026

- 1400-V-CoolSiC-MOSFET-Modul für Antriebswechselrichter in elektrischen Nutzfahrzeugen.

Littelfuse SP4315-01WTG TVS-Diodenarray

10.01.2026

- Extrem niedrige Kapazität, bidirektionales Design und Schutz elektronischer Geräte vor zerstörerischen ESD

Littelfuse DSxARP Schottky-Barrieredioden aus Silizium für die Kfz-Industrie

09.22.2026

- Bietet niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine stabile elektrische Leistung.

IXYS IXBOD2 Durchbruch-Diodenmodule

09.22.2026

- Bietet schnellen und verlässlichen Überspannungsschutz in anspruchsvollen Leistungs-Elektronikanwendungen.

onsemi NVMTS1D1N08X N‐Kanal-Leistungs-MOSFETs

09.17.2026

- 80-V-MOSFETs für Fahrzeuge mit niedrigem On-Widerstand und Soft-Recovery-Body-Diode.

Vishay SQD50P04-09L 40-V-P-Kanal-Leistungs-MOSFET für die Kfz-Industrie

09.16.2026

- Dieses Bauteil eignet sich ideal für Anwendungen in den Bereichen Kfz-Technik, Stromverteilung und industrielle Leistungssteuerung.

STMicroelectronics TVS221SC-1T2 Unidirektionale TVS für eine einzelne Leitung

09.15.2026

- Zum Schutz von Stromleitungen oder anderen I/Os mit niedriger Geschwindigkeit gegen ESD und kleinen Spannungsstößen konzipiert.

onsemi ESDM1021 ESD-Schutzdiode

09.14.2026

- Kompakte bidirektionale 2V-ESD-Diode für GPIO und Niederspannungs-Stromleitungsschutz.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09.14.2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse AK10-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK1-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse TP7.0SMD-XC Automotive-TVS-Diode

09.10.2026

- Schützt empfindliche elektronische Geräte vor durch Blitzschlag verursachte transiente Spannung.

Littelfuse AK3-FB Axial bedrahtete TVS- Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Littelfuse AK3-A Axial bedrahtete TVS-Dioden

09.10.2026

- Speziell für den Schutz von AC- und DC-Leitungen in extrem anspruchsvollen Überspannungsumgebungen konzipiert.

Texas Instruments JFE2325 Stromsparender Dual-N-Kanal-JFET

09.09.2026

- Für den Einsatz mit Sensoren mit sehr hoher Impedanz wie beispielsweise Elektret-Kondensatormikrofonen (ECMs) konzipiert.

IXYS IXSH110N120L3KHV SiC-MOSFET

09.02.2026

- 1200V, 18 mΩ und 112A SiC-MOSFET, empfohlen für den Einsatz in industriellen Schaltnetzteilen.

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