Reel SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 128K x 8, 3.3V, 32 SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 55 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 10ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 70 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 12ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 65 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 15ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 60 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
Alliance Memory SRAM 1M, 3.3V, 20ns, FAST 128K x 8 Asynch SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 20 ns Parallel 3.6 V 3 V 55 mA 0 C + 70 C SMD/SMT SOJ-32 Reel
onsemi N64S830HAS22IT
onsemi SRAM GENERAL SALES (ULP) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 20ns, 1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel

ISSI SRAM 1M, 2.4V-3.6V, 10ns LP Async SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 8Mb,High-Speed-Automotive,Async with ECC,1M x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 1 M x 8 10 ns Serial 3.6 V 2.4 V 110 mA, 135 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TSSOP-44 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,256K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, 3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 125 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT FBGA-165 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP,3CE, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

9 Mbit 256 k x 36 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 18,7.5ns,3.3v/2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
18 Mbit 1 M x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 425 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 7.5 ns 117 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync,512K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 200 MHz 3.3 V 2.5 V 210 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 256 k x 18 3.1 ns 200 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 210 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 8Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

TQFP-100 Reel
ISSI SRAM Sync SRAM 72Mb, 2.5v 4Mb x18bits, 250MHz Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

FBGA-165 Reel