Reel SRAM

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Qualifikation
Verpackung
Infineon Technologies CY7S1049GE30-10VXIT
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-36 Reel
Infineon Technologies CY7S1061G30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7S1061GE30-10BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 10 ns - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY62157G18-55BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel
Infineon Technologies CY62157G30-45BVXAT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel
Infineon Technologies CY62157G30-45BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXAT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
Infineon Technologies CY62157G30-45ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
Infineon Technologies CY62157GE30-45ZXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
Infineon Technologies CY62158G30-45BVXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel
Infineon Technologies CY62158G30-45ZSXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
Infineon Technologies CY62177G30-55ZXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
Infineon Technologies CY62177G30-55BAXIT
Infineon Technologies SRAM ASYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Reel
onsemi N25S818HAT21IT
onsemi SRAM GENERAL SALES (ULP)
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 33 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Reel
Renesas Electronics 70V3379S4PRFG8
Renesas Electronics SRAM 32K X 18 SYNCH DPRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Reel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-36 Reel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Serial 3.6 V 2.2 V 5 mA, 22 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16,20ns/1.65v-2.2v, 48 Ball mBGA (9x11 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

16 Mbit 1 M x 16 20 ns Parallel 2.2 V 1.65 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-48 Reel
ISSI SRAM 16Mb,High-Speed,Async,1Mbx16, 10ns, 2.4v-3.6v, 48 Ball mBGA (6x8 mm), ERR1/ERR2 Pins, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

16 Mbit 1 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 95 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT mBGA-48 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,128K x 16,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 8 ns Parallel 3.63 V 2.97 V 45 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 2Mb,High-Speed,Async with ECC,256K x 8,10ns,2.4V-3.6V, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

2 Mbit 256 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
ISSI SRAM 1Mb,High-Speed,Async,128K x 8,12ns,5v,32 Pin sTSOP I (8x13.4mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

1 Mbit 128 k x 8 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 40 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT sTSOP-32 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 25 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel