Reel SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung
Renesas Electronics SRAM 4M 3.3V I/O PBSRAM SLOW X Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 255 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 200 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 165 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 165 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 145 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 145 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

4 Mbit 128 k x 36 10 ns 66 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 300 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

9 Mbit 256 k x 36 8 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 ZBT SYNC 3.3V FLOW-THRU SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

9 Mbit 256 k x 36 8.5 ns Parallel 3.465 V 3.135 V 245 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

9 Mbit 256 k x 36 6.7 ns 150 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 345 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 4M X36 3.3V I/O SLOW ZBT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 Synch 3.3V PipeLined Burst SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

4 Mbit 128 k x 36 3.5 ns 166 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 330 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Reel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 45ns 512K x 16 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel