Cut Tape SRAM

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Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Speichergröße Organisation Zugangszeit Maximale Taktfrequenz Schnittstellen-Typ Versorgungsspannung - Max. Versorgungsspannung - Min. Versorgungsstrom - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Montageart Verpackung/Gehäuse Qualifikation Verpackung

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS 930Auf Lager
1 000erwartet ab 01.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape
ISSI SRAM 2Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS
2 954erwartet ab 16.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

2 Mbit 256 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
Alliance Memory SRAM 1Mb, SRAM, 128K x 8, 5V, 32pin SOJ (300 mil), 12ns, Industrial Temp, Corner Power, D Die, T&R
1 000erwartet ab 22.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

1 MB 128 k x 8 12 ns 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOJ-32 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 512K 2.5V SPI SERIAL SRAM Vbat Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 300

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI 5.5 V 2.5 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 4k, 3.0V EERAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 300

Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 4k, 3.0V EERAM IND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM EXT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

TSSOP-8 Reel, Cut Tape
Microchip Technology SRAM 16k, 3.0V EERAM IND Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

TSSOP-8 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM 1Mb 3V 45ns 64K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

1 Mbit 64 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 8Mb 3V 45ns 512K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 1Mb 45ns 128K x 8 Low Power SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

1 Mbit 128 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 4Mb 3V 45ns 256K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM MICROPOWER SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 512 k x 8 45 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-32 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM CY62157H30-45BVXAT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

8 Mbit 512 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT VFBGA-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

16 Mbit 2 M x 8/1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

16 Mbit 1 M x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 36 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-I-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM ASYNC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000

2 Mbit 128 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 50 mA - 40 C + 125 C SMD/SMT TFBGA-48 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

8 Mbit 512 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 60 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies SRAM 2Mb 3V 45ns 128K x 16 LP SRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

2 Mbit 128 k x 16 45 ns Parallel 3.6 V 2.2 V 18 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 8K(1KX8)CMOS DUAL PT RAM Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 500

8 kbit 1 k x 8 20 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 110 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-64 Reel, Cut Tape, MouseReel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 50 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel