133 MHz SRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Maximale Taktfrequenz
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 18
Mult.: 6
Nein
9 Mbit 256 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.6 V 2.4 V 370 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 21
Mult.: 7
Nein
9 Mbit 256 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 2.6 V 2.4 V 450 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-208 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx18 STD-PWR 3.3V SYNC DUAL-PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 24
Mult.: 6
Nein
4 Mbit 256 k x 18 4.2 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 48
Mult.: 6
Nein
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 310 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
Nein
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Reel
Renesas Electronics SRAM 128Kx36 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 4.2 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 300 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
Renesas Electronics SRAM 512Kx18 ZBT SYNC 3.3V PIPELINED SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 272
Mult.: 136
Nein
9 Mbit 512 k x 18 7.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 320 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-165 Tray
Infineon Technologies CY7C1371KVE33-133AXI
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C1381KVE33-133AXIT
Infineon Technologies SRAM SYNC SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Reel
Infineon Technologies CY7C1381KVE33-133AXM
Infineon Technologies SRAM Sync SRAMs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 160 mA - 55 C + 125 C SMD/SMT Tray
Infineon Technologies CY7C1481BV33-133BGXI
Infineon Technologies SRAM SYNC
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

72 Mbit 2 M x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.6 V 3.135 V 335 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1Mb x 18,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,1M x 18,6.5ns,3.3v I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 1 M x 18 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 2.375 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

4 Mbit 128 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100
ISSI SRAM 18Mb,Flow-Through,Sync,512K x 36,6.5ns,3.3v or 2.5V I/O, 100Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 260 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT QFP-100 Reel
ISSI SRAM 36Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,1Mb x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz 3.3 V 2.5 V 270 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800
18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 450 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Reel
ISSI SRAM 18Mb,"No-Wait"/Flowthrough,Sync,512K x 36,6.5ns,2.5v - I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 133 MHz Parallel 2.625 V 2.375 V 240 mA 0 C + 70 C SMD/SMT QFP-100