0 C EEPROM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Maximale Taktfrequenz
Organisation
Verpackung/Gehäuse
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Montageart
Datenspeicherung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,120NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
750Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGH SPEED,32LD PLCC,COM.,150NS, PB FREE
Datenblatt
90Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 90
Mult.: 90

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM CMOS HI SPD 32LD 150NS
Datenblatt
750Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 150 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE
Datenblatt
30Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 30
Mult.: 30

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Tube

Renesas / Intersil EEPROM 32K X 8 EEPROM,CMOS,HIGHSPEED,32LD PLCC,90NS, PB FREE, T&R
Datenblatt
750Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

256 kbit Parallel 32 k x 8 PLCC-32 90 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC256 Reel

Renesas / Intersil EEPROM 8K X 8 EEPROM,HIGH SPEED,CMOS,C.TEMP,120NS, PB FREE
Datenblatt
75Ab Werk erhältlich
Weitere Infos Verfügbar
Min.: 75
Mult.: 75

64 kbit Parallel 8 k x 8 SOIC-28 120 ns 4.5 V 5.5 V 100 Year 0 C + 70 C X28HC64 Tube
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

128 bit 2-Wire, I2C 400 kHz 16 x 8 SOIC-8 900 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Tube
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

128 bit 2-Wire, I2C 400 kHz 16 x 8 SOIC-8 900 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel
Microchip Technology EEPROM 128x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

1 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 128 x 8 SOIC-8 900 ns 1.7 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24AA01 Reel

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

2 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24AA02 Tube

Microchip Technology EEPROM 512x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 512 x 8 PDIP-8 900 ns 1.8 V 5.5 V Through Hole 200 Year 0 C + 70 C 24AA04 Tube
Microchip Technology EEPROM 1kx8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

8 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 1 k x 8 SOIC-8 900 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel
Microchip Technology EEPROM 32kx8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
: 2 100

256 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 32 k x 8 SOIJ-8 900 ns 1.8 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24AA256 Reel

Microchip Technology EEPROM 8kx8 1.8V Smart
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 8 k x 8 PDIP-8 3.5 us 1.8 V 6 V Through Hole 200 Year 0 C + 70 C Tube
Microchip Technology EEPROM 8kx8 1.8V Smart
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

64 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 8 k x 8 SOIJ-8 3.5 us 1.8 V 6 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Tube
Microchip Technology EEPROM 8kx8 - 1.8V Smart
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 100
Mult.: 2 100
: 2 100

64 kbit 2-Wire, I2C 100 kHz 8 k x 8 SOIJ-8 3.5 us 1.8 V 6 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel
Microchip Technology EEPROM 16byte 128b 5V
Datenblatt
Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

128 bit 2-Wire, I2C 400 kHz 16 x 8 SOIC-8 900 ns 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Tube
Microchip Technology EEPROM 128x8
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 SOIC-8 3.5 us 4.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel

Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

128 bit 2-Wire, I2C 400 kHz 16 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Tube

Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

128 bit 2-Wire, I2C 400 kHz 16 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel

Microchip Technology EEPROM 128x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24LC01B Tube

Microchip Technology EEPROM 128x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24LC01B Reel

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

2 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 256 x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C 24LC02B Reel

Microchip Technology EEPROM 1kx8 - 2.5V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

8 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 1 k x 8 TSSOP-8 900 ns 2.5 V 5.5 V SMD/SMT 200 Year 0 C + 70 C Reel

Microchip Technology EEPROM 2.5V Dual Mode
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 11 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

1 kbit 2-Wire, I2C 400 kHz 128 x 8 PDIP-8 3.5 us 2.5 V 5.5 V Through Hole 200 Year 0 C + 70 C 24LC21 Tube