Tray DRAM

Ergebnisse: 783
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96, Ind. Temp. Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 16 bit 1.6 GHz BGA-200 256 M x 16 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 95 C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - LPDDR4X 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz BGA-200 128 M x 32 570 mV 650 mV - 40 C + 105 C Tray
ISSI DRAM M-SDRAM,128M,3.3V 166MHz,4Mx32, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile 128 Mbit 166 MHz BGA-90 4 M x 32 8 ns 2.7 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42SM32400H Tray
ISSI DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 242
Mult.: 242

SDRAM - DDR2 2 Gbit 8 bit 400 MHz BGA-60 256 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR82560C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64M x 8 DDR2 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 400 MHz BGA-60 64 M x 8 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400D Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz at CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 512 Mbit 8 bit 333 MHz BGA-60 64 M x 8 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS43DR86400E Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 85 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.5V DDR3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Tray
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128DL Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 333 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 85 C IS46DR16320D Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 400 MHz BGA-84 64 M x 16 400 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C),1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 333Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gbit 16 bit 333 MHz BGA-84 64 M x 16 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 105 C IS46DR16640B Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR16512B Tray
ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.5V DDR3 A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS46TR81024B Tray
ISSI DRAM 8G 1Gx8 1866MT/s 1.35V DDR3L A-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 8 bit 933 MHz FBGA-78 1 G x 8 20 ns 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS46TR81024BL Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 209
Mult.: 209

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C IS46DR16320C Tray