0 C DRAM

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 933 MHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3(L) Tray
Zentel Japan DRAM DDR3 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C DDR3 Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 4Gb, 256Mx16, 2133 at CL14, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

SDRAM - DDR3L 4 Gbit 16 bit 1.066 GHz FPGA-96 256 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
Zentel Japan DRAM DDR3L 8Gb, 512Mx16 (1CS, 1ZQ), 1600 at CL11, 1.35V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz FPGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C DDR3L Tray
ISSI DRAM 4G, 1.2V, DDR4, 256Mx16, 2400MT/s at 16-16-16, 96 ball BGA (7.5mm x13.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
SDRAM - DDR4 4 Gbit 16 bit BGA-96 256 M x 16 1.14 V 1.26 V 0 C + 95 C IS43QR16256B Reel
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x 13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 512 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16640C Reel
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1600MT/s at 10-10-10, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
SDRAM - DDR3L 1 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 64 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16640CL Reel, Cut Tape
ISSI DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 32Mx16, 400Mhz at CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM - DDR2 512 Mbit 16 bit 400 MHz BGA-84 32 M x 16 1.7 V 1.9 V 0 C + 85 C IS43DR16320C Reel
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 166Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 16 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz BGA-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 166MHz, 54 pin Copper TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 167 MHz TSOP-II-54 32 M x 16 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm), RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S16320F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II, RoHS T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 108
Mult.: 108

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 133Mhz at CL2 , 86 pin TSOP II, RoHS T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 133 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 512 Mbit 32 bit 167 MHz TSOP-II-86 16 M x 32 6 ns 3 V 3.6 V 0 C + 70 C IS42S32160F Reel