16 bit DRAM

Ergebnisse: 880
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Typ Speichergröße Datenbus-Weite Maximale Taktfrequenz Verpackung/Gehäuse Organisation Zugangszeit Versorgungsspannung - Min. Versorgungsspannung - Max. Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16128D Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 800 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 85 C IS43TR16128D Reel
ISSI DRAM 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM - DDR3 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 85 C IS43TR16128D Reel
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1866MT/s 1.35V DDR3L Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3L 2 Gbit 16 bit 933 MHz BGA-96 128 M x 16 20 ns 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16128DL Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16512B Tray
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16512B Reel
ISSI DRAM DDR3 8G 1.5V 512Mx16 1600MT/s Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 800 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V 0 C + 95 C IS43TR16512B
ISSI DRAM 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 20 ns 1.425 V 1.575 V - 40 C + 95 C IS43TR16512B Reel
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V 0 C + 95 C IS43TR16512BL Reel
ISSI DRAM 8G, 1.35V, DDR3L, 512Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR3L 8 Gbit 16 bit 933 MHz FBGA-96 512 M x 16 1.283 V 1.45 V - 40 C + 95 C IS43TR16512BL Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-60 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143Mhz, 50 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SDRAM 16 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-50 1 M x 16 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS42S16100H Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 3.3V, SDRAM, 32Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM 512 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 32 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C IS45S16320F Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SDRAM 64 Mbit 16 bit 143 MHz TSOP-II-54 4 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 105 C Reel, Cut Tape
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 166 MHz TSOP-II-54 8 M x 16 6.5 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SDRAM 128 Mbit 16 bit 143 MHz BGA-54 8 M x 16 5.4 ns 3 V 3.6 V - 40 C + 85 C Reel