0 C Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Alliance Memory SRAM 1M, 5V, 12ns FAST 128K x 8 Asynch SRAM
Datenblatt
234Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-32 1 Mbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
250erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-28 256 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
250erwartet ab 12.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-28 256 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 256K, 32K x 8, 5V, 28pin SOJ, 20ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
240erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-28 256 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 1Mb, 64K x 16, 3.3V, 44pin SOJ(400mil), 12ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
160erwartet ab 21.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT SOJ-44 1 Mbit Parallel
ISSI DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
108erwartet ab 28.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 512 Mbit
ISSI DRAM 2G 128Mx16 1600MT/s DDR3L 1.35V
Datenblatt
10Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-96 2 Gbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
348erwartet ab 07.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
103Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 64MB, 2M X 32, 3.3V, 86PIN, TSOP II, 166MHZ, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
108erwartet ab 22.12.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 64 Mbit
GSI Technology SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SRAM SMD/SMT BGA-260 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 8M x 18 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 15
Mult.: 15

SRAM SMD/SMT TQFP-100 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 4M x 36 144M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 3 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 144 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5/3.3V 16M x 18 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT BGA-119 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.5/1.8V 8M x 36 288M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

SRAM SMD/SMT BGA-165 288 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 36 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 18 36M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 36 72M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 5 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

SRAM SMD/SMT TQFP-100 72 Mbit Parallel
GSI Technology SRAM 1.8/2.5V 256K x 36 9M
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 9 Mbit Parallel
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 128 bit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 16byte 128kb 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 128 bit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 128x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 1 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 256x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-8 2 kbit 2-Wire, I2C

Microchip Technology EEPROM 512x8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM Through Hole PDIP-8 4 kbit 2-Wire, I2C
Microchip Technology EEPROM 1kx8 - 1.8V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 9 Wochen
Min.: 3 300
Mult.: 3 300
: 3 300

EEPROM SMD/SMT SOIC-8 8 kbit 2-Wire, I2C