512 kbit Speicher-ICs

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Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Renesas Electronics SRAM 32Kx16 3.3V DUAL- PORT RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 750
Mult.: 750
: 750

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit Parallel

Renesas / Dialog NOR-Flash 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 100

NOR Flash SMD/SMT TSSOP-8 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 512 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 8 000
Mult.: 4 000
: 4 000

NOR Flash SMD/SMT 512 kbit SPI
Renesas / Dialog NOR-Flash 512 Kbit, Wide Vcc (1.7V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Fusion (Single, Dual) SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 7 840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-Narrow-8 512 kbit SPI

Microchip Technology EEPROM 64kx8 - 2.5V Lead Free Package
Datenblatt
Produkt-Kommentare
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

EEPROM SMD/SMT TSSOP-14 512 kbit 2-Wire, I2C
Renesas Electronics SRAM 64K X 8K
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 512 kbit
GigaDevice GD25D05EEEGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05EEIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05EKIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25D05ETIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05EEIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05EKIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25LD05ETIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EEIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EK6IGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-6 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05EKIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT USON-8 512 kbit Dual SPI, SPI
GigaDevice GD25WD05ETIGR
GigaDevice NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

NOR Flash SMD/SMT SOP-8 512 kbit Dual SPI, SPI
Microchip Technology 24CS512T-E/Q4B66KVAO
Microchip Technology EEPROM 512K I2C SERIAL EEPROM, EXT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000

EEPROM SMD/SMT UDFN-8 512 kbit I2C
Microchip Technology 24CS512T-I/CS0668
Microchip Technology EEPROM 512K 3.4MHz I2C SERIAL EEPROM, I-Temp, ECC, WLCSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 15 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

EEPROM SMD/SMT CSP-8 512 kbit I2C
Macronix MX25V5126FZUI-T
Macronix NOR-Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 5 700
Mult.: 570

NOR Flash 512 kbit

ISSI SRAM 512K,High-Speed/Low Power,Async,32K x 16,12ns,3.3v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 10ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

SRAM SMD/SMT SOJ-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 10ns, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin SOJ, 15ns, Commercial Temp - Tube
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 160
Mult.: 16

SRAM SMD/SMT SOJ-44 512 kbit Parallel
Alliance Memory SRAM SRAM, 512K, 32K x 16, 3.3V, 44pin TSOP II, 20ns, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-II-44 512 kbit Parallel