256 Mbit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 166MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 32Mx8, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 133Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 16Mx16, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 1.2/1.8V, LPDDR2, 8Mx32, 400MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

DRAM SMD/SMT FBGA-134 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, Cu 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 86 pin, TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit