256 Mbit Speicher-ICs

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AP Memory APS256XXN-OB9-WA
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ind. Temp., WLCSP Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

DRAM SMD/SMT WLCSP-24 256 Mbit
AP Memory APS256XXN-OBX9-BG
AP Memory DRAM IoT RAM 256Mb OPI (x8,x16) DDR 250MHz, 1.8V, Ext.. Temp., BGA24 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 4 800
Mult.: 4 800

DRAM SMD/SMT BGA-24 256 Mbit
Macronix MX25U25635FBBI-10G-TR
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 256Mbit x4 I/O WLCSP-31 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000
NOR Flash SMD/SMT WLCSP-31 256 Mbit SPI
Macronix MX25U25645GGAI00-T
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 256Mbit x4 I/O LGA-8 6x5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
NOR Flash SMD/SMT LGA-8 256 Mbit SPI
Macronix MX25U25645GGAI00-TR
Macronix NOR-Flash Serial NOR 1.8V 256Mbit x4 I/O LGA-8 6x5mm Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000
NOR Flash SMD/SMT LGA-8 256 Mbit SPI
Alliance Memory DRAM DDR1, 256Mb, 16M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp (A), TAPE & REEL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-66 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 166 MHz, Industrial Temp(.63) Tape and Reel, B Die Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT FBGA-54 256 Mbit
Alliance Memory DRAM SDR, 256Mb, 16M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp(.63) Tape and Reel, B Die Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M 16Mx16 166MHz SDR SDRAM, 3.3V Vorlaufzeit 4 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M 16Mx16 143MHz SDRAM, 3.3v Vorlaufzeit 6 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit

ISSI NOR-Flash 256Mb, Octal Flash, 3V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI

ISSI NOR-Flash 256Mb, Octal Flash, 1.8V, 24-ball TFBGA, RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

NOR Flash SMD/SMT TFBGA-24 256 Mbit SPI
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 2.5V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 86 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 133Mhz at CL2, 86 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit