Mobile DDR SDRAM

ISSI Mobile DDR SDRAM is organized as 4 banks of 16,777,216 words x 16 bits and uses a double-data-rate architecture to achieve high-speed operation. The Data Input/Output signals are transmitted on a 16-bit bus. The double data rate architecture is essentially a 2N prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. ISSI Mobile DDR SDRAM offers fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. The data paths are internally pipelined and 2n-bits prefetched to achieve very high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVCMOS.

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Menge RoHS ECAD Model Typ
Speichergröße
Datenbus-Weite
Maximale Taktfrequenz
Verpackung/Gehäuse
Organisation
Zugangszeit
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsspannung - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Serie
Verpackung
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT
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33Auf Lager
242Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Datenblatt
104Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160G Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Datenblatt
109Auf Lager
300erwartet ab 20.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
Datenblatt
395Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32160C Tray
ISSI IS43LR16640C-6BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Datenblatt
175Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-60
ISSI DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
Datenblatt
63Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR32800G Tray
ISSI IS43LR16640C-6BL
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
255Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-60
ISSI IS43LR16640C-5BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 64Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Datenblatt
290Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

BGA-60
ISSI DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM - DDR2 1 Gb 4 bit 400 MHz BGA-60 128 M x 8 450 ps 1.7 V 1.9 V - 40 C + 95 C Reel
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR16320C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM - DDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C IS46LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160G Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 85 C IS43LR16160H
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SDRAM Mobile - DDR 256 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 16 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16160H Reel
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

SDRAM Mobile - DDR 512 Mbit 16 bit 166 MHz BGA-60 32 M x 16 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR16320C Tray
ISSI DRAM 512M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SDRAM Mobile - LPDDR 512 Mbit 32 bit 166 MHz BGA-90 16 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32160C Tray
ISSI DRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

SDRAM - DDR 256 Mbit 32 bit 166 MHz TFBGA-90 8 M x 32 6 ns 1.7 V 1.95 V 0 C + 70 C IS43LR32800G Tray
ISSI IS43LR32320C-6BLI
ISSI DRAM 1G, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

BGA-90