S70KS1282GABHV020

Infineon Technologies
727-S70KS1282GABHV20
S70KS1282GABHV020

Herst.:

Beschreibung:
DRAM SPCM

Lebenszyklus:
End-of-Life-Produkt :
Gilt als veraltet und wurde vom Hersteller abgekündigt
ECAD Model:
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Infineon
Produktkategorie: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
16 M x 8
35 ns
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 105 C
Tray
Marke: Infineon Technologies
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Montageart: SMD/SMT
Produkt-Typ: DRAM
Verpackung ab Werk: 338
Unterkategorie: Memory & Data Storage
Versorgungsstrom - Max.: 60 mA
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Konformitätscodes
CNHTS:
8542329010
USHTS:
8542320002
ECCN:
3A991.b.2.a
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Taiwan
Herstellungsland:
Thailand
Land der Verbreitung:
Taiwan
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

S70KL1282 und S70KL1283 Schnittstellen-HyperRAMs

Die S70KL1282 und S70KL1283 Schnittstellen-HyperRAMs von Infineon Technologies sind selbstaktualisierende Hochgeschwindigkeits-CMOS-DRAMs mit HYPERBUS™-Schnittstellen. Das DRAM-Array verwendet dynamische Zellen, die eine regelmäßige Aktualisierung erfordern. Die Aktualisierungs-Steuerlogik innerhalb des Bauteils verwaltet den Aktualisierungsbetrieb auf dem DRAM-Array, wenn der Speicher nicht aktiv vom HYPERBUS-Schnittstellen-Master (Host) gelesen oder geschrieben wird. Da der Host für die Verwaltung von Aktualisierungsvorgängen nicht erforderlich ist, erscheint das DRAM-Array für den Host so, als ob der Speicher statische Zellen verwendet, die Daten ohne Aktualisierung speichern. Der Speicher wird genauer als pseudostatischer RAM (PSRAM) bezeichnet.

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