Asynchronous SRAMs

Renesas Electronics Asynchrone SRAMs basieren auf leistungsstarker, hochzuverlässiger CMOS-Technologie. Die Technologie und die innovativen Schaltungsdesigntechniken bieten eine kostengünstige Lösung für den Bedarf an schnellem asynchronem SRAM-Speicher. Vollständig statische asynchrone Schaltungen benötigen für den Betrieb weder Taktgeber noch Aktualisierungssignale. Renesas liefert asynchrones SRAM in RoHS 6/6-konformen (grünen) Gehäusen unter Verwendung von Gehäuseoptionen nach Industriestandard.

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 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Speichergröße
Organisation
Zugangszeit
Schnittstellen-Typ
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Versorgungsstrom - Max.
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Verpackung
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 10 ns Parallel 3.6 V 3 V 180 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 512Kx8 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

4 Mbit 512 k x 8 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Reel
Renesas Electronics SRAM 32K X 16 SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Nein
1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT CABGA-48 Reel
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
Nein
4 Mbit 256 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 160 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-48 Tray