4 Mbit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,250Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O, 165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 144
Mult.: 144

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,512K x 8,45ns,2.2v-3.6v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT TFBGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb 3.3V 200Mhz 128Kx36 Sync SRAM AT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT QFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT QFP-100 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit

ISSI SRAM 4M, 2.4-3.6V, 10ns 512Kx8 LP Async SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit
ISSI NOR-Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOP 208Mil, RoHS, T&R, new die rev
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
ISSI NOR-Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOIC 208Mil, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
ISSI NOR-Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOIC 208Mil, RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
ISSI NOR-Flash 4Mb QSPI, 8-pin SOIC 150mil, RoHS. T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 40 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb 128Kx36 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb 256Kx18 7.5ns Sync SRAM 3.3v
Datenblatt
Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel