4 Mbit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 128K x 36 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT FBGA-165 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Flow-Through,Sync with ECC,256K x 18,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,128K x 36,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync with ECC,256K x 18,200Mhz,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500
SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 135
Mult.: 135

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 32,7.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit
ISSI SRAM 4Mb, 3.3v, 7.5ns 128K x 32 Sync SRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 72
Mult.: 72

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flowthrough,Sync with ECC,128K x 36,7.5ns,3.3v I/O,165 Ball BGA, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,10ns,2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS, Automotive temp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,Flow-Through,Sync with ECC,128K x 36,6.5ns,3.3v I/O,100 Pin TQFP, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

SRAM SMD/SMT TQFP-100 4 Mbit Parallel