4 Mbit Speicher-ICs

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt
Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Microchip Technology SST39SF040-70-4I-TU
Microchip Technology NOR-Flash 4.5V to 5.5V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 14 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
NOR Flash SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
Microchip Technology SST39VF040-70-4C-TU
Microchip Technology NOR-Flash 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
NOR Flash SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
Microchip Technology SST39VF040-70-4I-TU
Microchip Technology NOR-Flash 2.7V to 3.6V 4Mbit Multi-Purpose Flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 21 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
NOR Flash SMD/SMT TSOP-32 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY7S1049G30-10VXIT
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

SRAM SMD/SMT SOJ-36 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies CY7S1049GE30-10VXIT
Infineon Technologies SRAM Async SRAMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

SRAM SMD/SMT SOJ-36 4 Mbit Parallel
Infineon Technologies FM22LD16-55-BGTR
Infineon Technologies F-RAM 4M (256Kx16) 55ns F-RAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

FRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
Renesas / Dialog AT25EU0041A-SSHN-B
Renesas / Dialog NOR-Flash 4 Mbit, Ultra Low Energy, Wide Vcc (1.65V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tube), Single, Dual, Quad SPI NOR flash
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 7 840
Mult.: 98

NOR Flash SMD/SMT SOIC-8 4 Mbit SPI
Renesas Electronics M30044010035X0ISAR
Renesas Electronics MRAM M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

MRAM 4 Mbit SPI
Renesas Electronics M30044010035X0ISAY
Renesas Electronics MRAM M3004401 4MB HIGH PERFORMANCE SPI 35MHZ MRAM Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300

MRAM 4 Mbit SPI
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,512K x 8,10ns/2.4V-3.6V,36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial
ISSI SRAM 4Mb, Low Power/Power Saver,Async,256K x 16,45ns,2.2v-3.6v, 2 CS 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Serial

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns,3.3V,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,256K x 16,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,256K x 16,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Async,512K x 8,10ns,5v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed,Low Power,Async,512K x 8,25ns,5v,32 Pin sTSOP I, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

SRAM SMD/SMT sTSOP-32 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT mBGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,1.65V-2.2V, 10ns, 48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 480
Mult.: 480

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,48 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-48 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel
ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 36 Ball mBGA (6x8 mm), RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

SRAM SMD/SMT BGA-36 4 Mbit Parallel

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,512K x 8,10ns, 2.4v-3.6v, 44 Pin TSOP II, RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

SRAM SMD/SMT TSOP-44 4 Mbit Parallel