8 bit/16 bit Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

DRAM SMD/SMT BGA-54 128 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

DRAM SMD/SMT BGA-54 256 Mbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Top boot, top two sectors protected
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

NOR Flash SMD/SMT TSOP-48 64 Mbit Parallel
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

DRAM SMD/SMT TSOP-II-54 128 Mbit
Alliance Memory NOR-Flash Parallel NOR-Flash, 64Mb, 3V, 75ns, Uniform Blocks, -40 to 85C, 64b BGA, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
NOR Flash SMD/SMT 64 Mbit Parallel