32 bit Tray Speicher-ICs

Arten von Speicher-ICs
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS Produkt-Typ
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Speichergröße
Schnittstellen-Typ
Alliance Memory DRAM DDR1, 128MB, 4M X 32, 2.5V, 144BGA, 200MHZ, INDUSTRIAL TEMP - Tray
Datenblatt
24Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-144 128 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 4M x 32, 3.3V, 90-ball BGA, 166 MHz, Industrial Temp - Tray
Datenblatt
12Auf Lager
1 330Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 128 Mbit
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128Mb, 4M x 32, 3.3V, 90-ball BGA, 143 MHz, Commercial Temp - Tray
Datenblatt
2Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TFBGA-90 128 Mbit
Alliance Memory DRAM LPSDRAM, 256M, 8MX 32, 1.8V, 90 BALL, BGA, 8 X 32MM, 166MHZ, INDUSTRIAL TEMP, B DIE
Datenblatt
167Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M 4Mx32 143MHz SDR SDRAM 3.3v
Datenblatt
77Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TCN
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128MB, 4M X 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 166 MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tray
Datenblatt
64Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
Alliance Memory AS4C4M32SA-6TIN
Alliance Memory DRAM SDRAM, 128MB, 4M X 32, 3.3V, 86PIN TSOP II, 166 MHZ INDUSTRIAL TEMP - Tray
Datenblatt
115Auf Lager
2 376erwartet ab 18.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
17 132Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 256 Mbit
ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT
Datenblatt
3 840Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 4G, 1.2/1.8V, LPDDR2, 128Mx32, 533MHz, 134 ball BGA (10mmx11.5mm) RoHS, IT
Datenblatt
1 118erwartet ab 30.07.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-134 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 128M, 3.3V, SDRAM, 4Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS
Datenblatt
190Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 128 Mbit
ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II RoHS
Datenblatt
2 940Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT TSOP-II-86 256 Mbit
ISSI DRAM 512M, 1.8V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR
Datenblatt
960erwartet ab 09.08.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT BGA-90 512 Mbit
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 4G, 128M X 32, 1.2V, 134 BALL BGA, 400MHZ, Industrial TEMP - Tray
Datenblatt
292Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 4 Gbit
Alliance Memory DRAM 512M 166MHz 16Mx32 Mobile LP SDRAM IT
Datenblatt
348erwartet ab 05.05.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 512 Mbit
Alliance Memory DRAM LPDDR1, 2G, 64M x 32, 1.8v, 200MHz, 90-BALL FBGA, (A-die) Industrial Temp - Tray
Datenblatt
238erwartet ab 05.01.2027
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-90 2 Gbit
Alliance Memory DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-134 1 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 4Gb, 1.1V, 128Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 4 Gbit
Intelligent Memory DRAM ECC LPDDR4, 8Gb, 1.1V, 256Mx32, 1600MHz (3200Mbps), -40C to +95C, FBGA-200
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

DRAM SMD/SMT FBGA-200 8 Gbit
Intelligent Memory DRAM SDRAM, 64Mb, 3.3V, 2Mx32, 166MHz (166Mbps), -40C to +85C, FBGA-54
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 8 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190

DRAM SMD/SMT FBGA-90 64 Mbit
Infineon Technologies S80KS2564GACHB040
Infineon Technologies DRAM SPCM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 260
Mult.: 260

DRAM SMD/SMT FBGA-49 256 Mbit
Infineon Technologies CY14B116S-BZ35XI
Infineon Technologies NVRAM NVSRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

NVRAM SMD/SMT FBGA-165 16 Mbit Parallel
ISSI DRAM 64M, 3.3V, 143Mhz 2Mx32 SDR SDRAM
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 10 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

DRAM SMD/SMT BGA-90 64 Mbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +95C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 4G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 128Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA(10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 136
Mult.: 136

DRAM SMD/SMT BGA-200 4 Gbit