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MAPC-A3010-ABSB1

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

937-MAPC-A3010-ABSB1

Herst.- Nr.:

MAPC-A3010-ABSB1

Herst.:

MACOM

Beschreibung:

RF-Entwicklungstools Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

MAPC-A3010-ABSB1 Datenblatt (PDF)

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Lieferbeschränkung:

Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	MACOM
Produktkategorie:	RF-Entwicklungstools
Lieferbeschränkung:	Mouser verkauft dieses Produkt nicht in Ihre Region.
RoHS:
Produkt:	Add-On Boards
Typ:	RF Transistor
Tool für die Evaluierung von:	MAPC-A3010-AB
Frequenz:	0 Hz to 4 GHz
Marke:	MACOM
Produkt-Typ:	RF Development Tools
Verpackung ab Werk:	1
Unterkategorie:	Development Tools

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Datenblatt

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Konformitätscodes

TARIC:: 9030820000
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Ursprungsklassifikationen

Ursprungsland:: Vereinigte Staaten
Herstellungsland:: Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:: Nicht lieferbar

Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.