64 Mbit Embedded Lösungen

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ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8x8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 4Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 240
Mult.: 240

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143MHz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI SRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500


ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Top boot, top two sectors protected Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 64M, 3.3V, SDRAM, 2Mx32, 143Mhz, 86 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 32 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Alliance Memory DRAM DDR1, 64MB, 2M X 32, 2.5V 144 BGA 200MHZ, COMMERCIAL TEMP - Tape & Reel Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

Alliance Memory DRAM DDR1, 64Mb, 4M x 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Automotive Temp(A) Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1