8 bit/16 bit Embedded Lösungen

Arten von Embedded Lösungen

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ISSI NOR-Flash 128Mb, 64 Ball BGA(9X9mm), 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI NOR-Flash 128Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Highest Sector Protected Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI NOR-Flash 256M 2.7-3.6V 70ns Parallel NOR I-Temp Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI NOR-Flash 256Mb, 56 pin TSOP, 3V, RoHS, T&R, Lowest Sector Protected Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 800
Mult.: 800
: 800

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 143Mhz, 54 ball BGA (8mmx8mm) ROHS, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 500
Mult.: 2 500
: 2 500

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 348
Mult.: 348

ISSI DRAM Automotive (-40 to +85C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 ball BGA (8mmx8mm) RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM Automotive (-40 to +105C), 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 143MHz, 54 pin TSOP II RoHS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI NOR-Flash 64Mb, 48pin TSOP,3V, RoHS, T&R, Top boot, top two sectors protected Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500

ISSI DRAM 256M, 3.3V, SDRAM, 16Mx16, 166MHz, 54 pin TSOP II RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

ISSI DRAM 128M, 3.3V, SDRAM, 8Mx16, 166Mhz, 54 pin TSOP II (400 mil) RoHS, IT, T&R Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

Alliance Memory NOR-Flash Parallel NOR-Flash, 64Mb, 3V, 75ns, Uniform Blocks, -40 to 85C, 64b BGA, T&R Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000