CoolSIC SiC-MOSFETs

Ergebnisse: 5
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Montageart Verpackung/Gehäuse Anzahl der Kanäle Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung Id - Drain-Gleichstrom Rds On - Drain-Source-Widerstand Vgs - Gate-Source-Spannung Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung Qg - Gate-Ladung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Pd - Verlustleistung Kanalmodus Handelsname
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 1 687Auf Lager
601erwartet ab 13.01.2027
€ 39,92
€ 29,42
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 89 A 33 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 137 nC - 55 C + 150 C 576 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 2 329Auf Lager
1 440Auf Bestellung
€ 22,77
€ 18,24
€ 15,77
€ 14,92
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 48 A 64 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 82 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package 724Auf Lager
€ 19,29
€ 14,41
€ 12,46
Min.: 1
Mult.: 1
Max.: 240
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 34 A 98 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 64 nC - 55 C + 150 C 267 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
5 907erwartet ab 02.09.2027
€ 78,60
€ 64,95
€ 58,51
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 123 A 16.5 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 246 nC - 55 C + 150 C 552 W Enhancement CoolSIC
Infineon Technologies SiC-MOSFETs CoolSiC 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
3 859Auf Bestellung
€ 16,21
€ 12,11
€ 10,47
€ 9,91
€ 9,25
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 2 kV 26 A 131 mOhms - 10 V, + 23 V 3.5 V 55 nC - 55 C + 150 C 217 W Enhancement CoolSIC