RF Power MOSFET Halbleiter

Arten von Halbleitern
Kategorieansicht ändern
Ergebnisse: 337
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 40 W, 28 V, 2.7 to 3.6 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 160
Mult.: 160
: 160

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 100

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50



STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF PWR N-Ch MOS 350W 22dB 30MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 150W 14.8 dB at 175MHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Trans 200V 300W 24 dB at 30 MHz
Datenblatt
Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 60 W, 28 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 60
Mult.: 60

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 4 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 4 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 50
Mult.: 50

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren N-Ch 65 Volt 5 Amp
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics GaN FETs 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 250 W, 28/32 V RF Power LDMOS transistor from HF to 1 GHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 120
Mult.: 120
: 120

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren 10 W, 28 V, HF to 1.6 GHz RF Power LDMOS transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 300
Mult.: 300
: 300

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

STMicroelectronics MOSFET HF-Transistoren POWER R.F.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 28 Wochen
Min.: 80
Mult.: 80

Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) Full-Bridge 13.56 MHz Reference Design Kit
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1
Microchip Technology MOSFET HF-Transistoren RF MOSFET (VDMOS) 170 V 600 W 30 MHz T2
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 10
Mult.: 1
Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 0.1A 0.25W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Toshiba MOSFET HF-Transistoren Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 4A 20W 20V
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 10W, 32V GaN RF Tr Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
Qorvo GaN FETs 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 24 Wochen
Min.: 18
Mult.: 18

MACOM MOSFET HF-Transistoren Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 40
Mult.: 40