GaN Halbleiter

Ergebnisse: 723
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
MACOM GaN FETs 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-8.0GHz, 60 Watt

MACOM GaN FETs GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt

Analog Devices HF-Verstärker 2-6 GHz,40W,GaN Radar PA

Analog Devices HF-Verstärker GaN Wideband Power Amplifier ICs

Analog Devices HF-Verstärker GaN Driver Ampllifier

Analog Devices HF-Verstärker 0.3 GHz to 6 GHz, 35 W, GaN Power Amplif

Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz 32V GaN PAE 58% at 3.3GHz

Qorvo GaN FETs 8-12GHz 20W GaN PAE 50% Gain 11dB

Qorvo GaN FETs DC-12 GHz, 20W, 32V GaN RF Tr

MACOM GaN FETs GaN HEMT Bare Die 28V DC-8.0GHz 120W

MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt

MACOM GaN FETs GaN HEMT 2.7-3.1GHz, 60 Watt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 250
Mult.: 250
: 250

MACOM GaN FETs Amplifier,400W,GaN HEMT,50V,3.5-3.7GHz
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10
MACOM GaN FETs GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM GaN FETs 70W, GaN HEMT, DISCRETE TRANSISTOR, INTE
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 25
Mult.: 25
MACOM GaN FETs 350W, GaN HEMT, 50V, 5.2-5.9GHz, PULSED,
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 170 Watt

MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt

MACOM GaN FETs GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 100 Watt

Qorvo T1G4020036-FL
Qorvo GaN FETs DC-3.5GHz GaN 2X 120W 36Volt

MACOM CGH60120D-GP5
MACOM GaN FETs DIE, 120W, GaN HEMT, GP4, 510400, 28.8mm