GaN Halbleiter

Ergebnisse: 723
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS
MACOM GaN FETs GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 50
Mult.: 10

MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

MACOM HF-Verstärker Amplifier MMIC,GaN HPA, 60W, 2.7-3.8 GHz
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
MACOM HF-Verstärker GaN MMIC Power Amp 5.5-8.5GHz, 30 Watt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Monolithic Power Systems (MPS) Gate-Treiber 100V, High-Frequency, Half-Bridge GaN/MOSFET Driver Nicht auf Lager
Min.: 500
Mult.: 500
: 500

Monolithic Power Systems (MPS) Gate-Treiber Half-Bridge GaN MOSFET Driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 57 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000
Monolithic Power Systems (MPS) Gate-Treiber 100V, 1.6A, 5A, EMI-Optimized Half-Bridge GaN Driver Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 71 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Renesas / Intersil Gate-Treiber 100V, 2A source, 5A sink half-bridge Driver, w/ AST, 4x4 WLC Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

Renesas / Intersil Gate-Treiber 100V, 2A source, 5A sink Half-bridge Driver, w/ AST, 14Ld 3x Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 6 000
Mult.: 6 000
: 6 000

Renesas / Intersil Gate-Treiber 100V, 2A source, 5A sink half-bridge Driver, w/o AST, 4x4 WL Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Renesas / Intersil Gate-Treiber 100V, 2A source, 5A sink Half-bridge Driver, w/o AST, 14Ld 3 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 6 000
Mult.: 6 000
: 6 000

Renesas Electronics GaN FETs 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Renesas Electronics GaN FETs 700V, 300mohm GaN FET in TO220 Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 4 000
Mult.: 4 000
: 4 000

STMicroelectronics Gate-Treiber High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen

Texas Instruments Gate-Treiber 600V 30mohm GaN FET with integrated driv Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Nein
Infineon Technologies Gate-Treiber LOW SIDE DRIVERS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000

Infineon Technologies IGKA23S101SXTSA1
Infineon Technologies GaN FETs CoolGaN Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 m Nicht auf Lager
Min.: 4 000
Mult.: 1

NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors HF-Verstärker A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 53 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
Qorvo CMD184
Qorvo HF-Verstärker 0.5 - 20 GHz Power Amplifier
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 34 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Qorvo QPA2226D
Qorvo HF-Verstärker 34-36 GHz 20 W GaN Amp
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10

Qorvo QPA4446D
Qorvo HF-Verstärker 37.5-42.5 GHz, 4W PA Die
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 17 Wochen
Min.: 10
Mult.: 10