GaN Halbleiter

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Menge RoHS
Texas Instruments Gate-Treiber 650V 105mohm GaN hal f-bridge with integ
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Texas Instruments Gate-Treiber 650V 95mohm GaN half -bridge with integr
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 000
Texas Instruments LMG2652HRFBR
Texas Instruments Gate-Treiber SMART 140 MOHM E-GAN FET WITH DRIVER 19-VQFN
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 50m? GaN with integrated driver an A 595-LMG3411R050RWHT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3422R030RQZT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 50-m? GaN FET with integrated driv
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 600-V 30-m? GaN FET with integrated driv LMG3425R030RQZT
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 600V 30mohm GaN FET with integrated driv
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Texas Instruments Gate-Treiber 600V 50mohm GaN FET with integrated driv
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 650-V 30-m? GaN FET with integrated driv
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000

Texas Instruments Gate-Treiber 650V 25m? TOLL-packa ged GaN FET with in
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Texas Instruments Gate-Treiber 650V 35m? TOLL-packa ged GaN FET with in
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Texas Instruments Gate-Treiber 650V 70m? TOLL-packa ged GaN FET with in
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
Texas Instruments Gate-Treiber 5A/5A dual-channel g ate driver with 4V
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 5 000
EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

EPC GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Fairview Microwave HF-Verstärker 40 dB Gain GaN Power Amplifier at 4 Watt P1dB Operating from 20 MHz to 1 GHz with 44 dBm IP3, 32% PAE, 6 dB NF, SMA, with Heatsink
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 48 dB Gain High Power GaN Amplifier at 50 Watt Psat Operating from 500 MHz to 3 GHz with 52 dBm IP3, SMA Input, SMA Output
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 800 to 2000 MHz SMA GaN Power Amplifier, 45W, L-Band, 28V, 45% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 1000 to 2500 MHz SMA GaN Power Amplifier, 18W, L & S Bands, 28V, 50% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 1000 to 2500 MHz SMA GaN Power Amplifier with Integrated Heatsink and Cooling Fan, 18W, L & S Band, 28V, 50% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 1000 to 2500 MHz SMA GaN Power Amplifier, 7W, L & S Bands, 28V, 35% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 200 to 2600 MHz SMA GaN Power Amplifier, 10W, High VHF Through S Bands, 28V, 40% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 1000 to 2500 MHz SMA GaN Power Amplifier, 20W, L & S Bands, 28V, 50% Efficiency and Class AB
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Fairview Microwave HF-Verstärker 40 dB Gain High Power GaN Amplifier at 10 Watt Psat Operating from 6 GHz to 18 GHz with SMA
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1