PDFN-8 Halbleiter

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Menge RoHS
YAGEO XSemi MOSFETs N-MOS 30V 19.5A 5.2mOhms
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

YAGEO XSemi MOSFETs N-MOS 30V 20.7A 4.7mOhms
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 150mOhm PQFN 88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 70mOhm PQFN 88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Navitas Semiconductor GaN FETs GaNFET Discrete 650V 50mOhm PQFN 88
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 3 000
Mult.: 3 000
: 3 000

MACOM HF-Verstärker 1.4-4.0GHz NF .6dB Gain=17.5dB
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 3 000

MACOM HF-Verstärker Amplifier,LNA,18-31.5 GHz,2mm,1k reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

Infineon Technologies GaN FETs LEGACY GAN SYSTEMS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 18 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

MACOM MAAL-011198-TR1000
MACOM HF-Verstärker Amplifier,LNA,32-37GHz,2mm,1K reel
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 22 Wochen
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000

iDEAL Semiconductor MOSFETs
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 12 Wochen
Min.: 5 000
Mult.: 5 000
: 5 000

Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 30A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 9 000
Mult.: 3 000
: 3 000

Taiwan Semiconductor GaN FETs 650V, 18A, PDFN88, E-mode GaN Transistor
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 9 000
Mult.: 3 000
: 3 000