933 MHz Halbleiter

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS
GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 8M x 18 144M
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Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GSI Technology SRAM 1.2/1.25V 4M x 36 144M
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Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x18, 933MHz, Commercial Temp
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Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

GSI Technology SRAM SigmaDDR-IVe, 144Mb, x36, 933MHz, Commercial Temp
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Nicht auf Lager
Min.: 10
Mult.: 10

SMARTsemi DRAM DRAM DDR3(L) 4GB 512MX8 1866Mbps 1.35V/1.5V 78-FBGA Industrial
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N/A
Min.: 1
Mult.: 1

Infineon Technologies CY7C4042KV13-933FCXC
Infineon Technologies SRAM SYNC
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 26 Wochen
Min.: 600
Mult.: 600

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

Zentel Japan DRAM DDR3 1Gb, 64Mx16, 1866 at CL13, 1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 1 900
Mult.: 1 900

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 256Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 2Gb, 128Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 512Mx8, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-78, Ind. Temp.
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 420
Mult.: 2 420

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 16 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

Zentel Japan DRAM DDR3&DDR3L 4Gb, 256Mx16, 1866 at CL13, 1.35V&1.5V, FBGA-96, Ind. Temp.
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 20 Wochen
Min.: 2 090
Mult.: 2 090

ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht auf Lager
Min.: 2 000
Mult.: 1
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 2 000
Mult.: 2 000
: 2 000
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
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Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 190
Mult.: 190
ISSI DRAM 1G, 1.5V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS
Datenblatt
Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500
ISSI DRAM 1G, 1.35V, DDR3, 64Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
ISSI DRAM 16G, 1.35V, DDR3L, 1Gx16,1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS
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Nicht auf Lager
Min.: 136
Mult.: 1
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +115C), 2G, 1.5V, DDR3, 128Mx16, 1600MT/s at 11-11-11, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500
ISSI DRAM 4G, 1.5V, DDR3, 256Mx16, 1866MT/s at 13-13-13, 96 ball BGA (9mm x13mm) RoHS, IT, T&R
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 52 Wochen
Min.: 1 500
Mult.: 1 500
: 1 500