LMG3612REQR

LMG3612 Einkanal-GaN-FET

LMG3612 Einkanal-GaN-FET von Texas Instruments  bietet eine Drain-Source-Spannung von 650 V und einen Drain-Source-Widerstand von 120 mΩ mit einem integrierten Treiber, der für Schaltnetzteilanwendungen konzipiert ist. Dieser IC kombiniert  den GaN-FET, den Gate-Treiber und die Schutzfunktionen  in einem 8 mm x 5,3 mm großen QFN-Gehäuse. Der LMG3612 GaN-FET zeichnet sich durch eine niedrige kapazitive Ausgangsladung aus, die den Zeit- und Energieaufwand für das Schalten des Leistungswandlers reduziert. Der interne Gate-Treiber dieses Transistors regelt die Ansteuerspannung für einen optimalen GaN-FET-Einschaltwiderstand. Der interne Gate-Treiber reduziert die gesamte Gate-Induktivität und die gemeinsame Quelleninduktivität des GaN-FETs und verbessert so die Schaltleistung, einschließlich der Gleichtakt-Transientenimmunität (CMTI). Der LMG3612 GaN-FET unterstützt die Anforderungen an den Wirkungsgrad von Wandlern bei geringer Last und den Burst-Mode-Betrieb mit 55µA niedrigem Ruhestrom und schnellen Einschaltzeiten.