650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

STMicroelectronics 650 Siliziumkarbid-(SiC)-MOSFETs verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung. Dies trägt zu effizienteren und kompakteren Systemen bei.Im Vergleich zu Silizium-MOSFETs zeichnen sich SiC-MOSFETs durch einen niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche selbst bei hohen Temperaturen aus. Darüber hinaus verfügen die SiC-MOSFETs verfügen über eine ausgezeichnete Schaltleistung im Vergleich zu erstklassigen IGBTs in allen Temperaturbereichen. Dies vereinfacht das thermische Design von Leistungselektroniksystemen.

Ergebnisse: 10
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
478Auf Lager
1 000erwartet ab 10.09.2027
Cut-Tape
€ 11,70
€ 6,66
€ 6,64
Reel
€ 6,28
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 60 A 39.3 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 48.6 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
457Auf Lager
€ 9,71
€ 5,31
€ 4,86
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
429Auf Lager
€ 11,42
€ 8,51
€ 7,10
€ 6,32
€ 5,90
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 650 V 30 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 37.5 nC - 55 C + 200 C 240 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in a TO-LL package
Datenblatt
1 394Auf Lager
Cut-Tape
€ 8,64
€ 5,90
€ 4,87
€ 4,33
€ 4,06
Reel
€ 4,06
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 31 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
Datenblatt
543Auf Lager
1 000erwartet ab 02.07.2027
Cut-Tape
€ 11,32
€ 8,44
€ 7,03
€ 6,26
Reel
€ 5,86
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
6Auf Lager
1 000erwartet ab 03.09.2027
Cut-Tape
€ 14,16
€ 8,49
Reel
€ 7,93
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package
Datenblatt
8Auf Lager
1 800erwartet ab 10.06.2027
Cut-Tape
€ 9,65
€ 6,82
€ 5,68
€ 5,07
€ 4,73
Reel
€ 4,73
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 800
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an HiP247-4 package
Datenblatt
600erwartet ab 05.11.2027
€ 16,06
€ 12,24
€ 10,20
€ 8,49
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 77 nC - 55 C + 200 C 398 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC-MOSFETs Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A
Datenblatt
600erwartet ab 30.04.2027
€ 10,10
€ 7,30
€ 6,09
€ 5,43
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 650 V 30 A 72 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 32 nC - 55 C + 200 C 210 W Enhancement AEC-Q100
STMicroelectronics SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 55 A in an H2PAK-7 package
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 25 Wochen
Cut-Tape
€ 13,55
€ 8,03
Reel
€ 7,60
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 55 A 27 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 79.4 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement