750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs

Die 750 V n-Kanal-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor können die Schaltfrequenz erhöhen und dadurch die Menge der benötigten Kondensatoren, Reaktoren und anderen Bauelemente verringern. Diese SiC-MOSFETs sind in TO-247N-, TOLL-, TO-263-7L-, TO-263-7LA- und TO-247-4L-Gehäusen erhältlich. Diese Bauteile haben einen statischen Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)] von 13 mΩ bis 65 mΩ (typisch) und einen ununterbrochenen Drain- (ID) und Quellen-Strom (IS) (TC = 25 °C) von 22 A bis 120 A. Diese 750-V-SiC-MOSFETs von ROHM Semiconductor bieten eine hohe Spannungsfestigkeit, einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Hochgeschwindigkeits-Schalteigenschaften und nutzen dabei die einzigartigen Eigenschaften der SiC-Technologie.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Qualifikation
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
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2 004Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
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1 946Auf Lager
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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641Auf Lager
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Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
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624Auf Lager
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Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
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311Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 120A SIC
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900Auf Lager
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 120 A 4.8 V 170 nC + 175 V 405 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 46A SIC
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1 990Auf Lager
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 46 A 4.8 V 72 nC + 175 V 164 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 37A SIC
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1 944Auf Lager
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 37 A 4.8 V 63 nC + 175 V 133 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 80A SIC
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490Auf Lager
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 80 A 4.8 V 123 nC + 175 V 277 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
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439Auf Lager
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Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
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410Auf Lager
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Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 42 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 136 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 750V, 38A, 7-pin SMD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive
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1 000Auf Lager
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: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 38 A 47 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 72 nC + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
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450Auf Lager
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Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 26A SIC
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970Auf Lager
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 26 A 4.8 V 48 nC + 175 V 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 25A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET
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440Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4L 1 Channel 750 V 25 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 88 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs 750V, 45m, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET
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1 000Auf Lager
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Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 51A N-CH SIC
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1 439Auf Lager
Min.: 1
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 51 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 150 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TOLL 750V 61A SIC
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92Auf Lager
Min.: 1
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: 2 000
SMD/SMT TOLL-9 1 Channel 750 V 61 A 4.8 V 94 nC + 175 V 214 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 98A N-CH SIC
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242Auf Lager
1 000erwartet ab 26.10.2026
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 98 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 56A N-CH SIC
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133Auf Lager
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 56 A 26 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 94 nC + 175 C 176 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 34A N-CH SIC
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428Auf Lager
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Through Hole TO-247N-3 1 Channel 750 V 34 A 59 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 115 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO263 750V 31A N-CH SIC
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23Auf Lager
1 000erwartet ab 29.09.2026
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: 1 000

SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC-MOSFETs TO247 750V 105A N-CH SIC
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450erwartet ab 08.01.2027
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Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 105 A 16.9 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 170 nC + 175 C 312 W Enhancement