SCT4062KWAHRTL

ROHM Semiconductor
755-SCT4062KWAHRTL
SCT4062KWAHRTL

Herst.:

Beschreibung:
SiC-MOSFETs TO263 1.2KV 24A N-CH SIC

Datenblatt:
ECAD Model:
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ROHM Semiconductor
Produktkategorie: SiC-MOSFETs
RoHS:  
SMD/SMT
TO-263-7LA
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
24 A
81 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
64 nC
+ 175 C
93 W
Enhancement
Marke: ROHM Semiconductor
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 6.5 S
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt: MOSFET's
Produkt-Typ: SiC MOSFETS
Anstiegszeit: 11 ns
Verpackung ab Werk: 1000
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4.4 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Specification Sheets

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Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
Thailand
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

n-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFETs der 4. Generation

Die Leistungs-MOSFETs der 4. Generation mit N-Kanal aus Siliziumcarbid (SiC) von ROHM Semiconductor bieten niedrige On-Widerstände und eine verbesserte Kurzschlusstoleranz. Die MOSFETs der 4. Generation aus SiC lassen sich einfach parallel schalten und einfach ansteuern. Die MOSFETs zeichnen sich durch schnelle Schaltgeschwindigkeiten/Sperrverzögerung, geringe Schaltverluste und eine maximale Betriebstemperatur von +175°C aus. Die N-Kanal SiC Leistungs-MOSFETs der 4. Generation von ROHM unterstützen eine 15 V Gate-Source-Spannung, die zur Energieeinsparung des Bauelements beiträgt.

SCT4062KWAHR AEC-Q101 N-Kanal-SiC-Leistungs-MOSFET

ROHM Semiconductor  SCT4062KWAHR AEC-Q101 Der N-Kanal- Siliciumcarbid -Leistungs-MOSFET (SiC) ist ein leistungsstarkes Bauelement in Automobilqualität für den Einsatz in anspruchsvollen Automobilumgebungen. Der ROHM SCT4062KWAHR verfügt über einen hohen Drain-Source Nennspannung von 1.200 V und einen Dauersenkenstrom von 24 A (bei +25°°C), wodurch sich der MOSFET gut für Hochspannungs- und Hocheffizienz Leistungsumwandlung Systeme eignet. Mit einem typischen On-Widerstand von 62 mΩ minimiert der SCT4062KWAHR die Leitungsverluste und unterstützt ein schnelles Schalten, was zu geringeren Leistungsverlusten und verbesserten thermischen Eigenschaften beiträgt. Das im TO-263-7LA Format verpackte Bauelement bietet eine hervorragende Dissipation und lässt sich problemlos in kompakte Leistungsmodule integrieren. SCT4062KWAHR ist ideal für Applikationen in Elektrofahrzeugen (EV) wie Umrichter BordLadegeräte und DC/DC Wandler bei denen Zuverlässigkeit Wirkungsgrad und thermische Stabilität entscheidend sind.

AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs

Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs von ROHM Semiconductor eignen sich hervorragend für Automotive- und Schaltnetzteile. Die SiC-Leistungs-MOSFETs können zur Erhöhung der Schaltfrequenz eingesetzt werden, wodurch die Menge der erforderlichen Kondensatoren, Drosseln und anderen Komponenten verringert wird. Die AEC-Q101 SiC-Leistungs-MOSFETs bieten eine ausgezeichnete Größen- und Gewichtsreduzierung in verschiedenen Antriebssystemen, wie z. B. Wechselrichtern und DC-DC-Wandlern in Fahrzeugen.

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Gehäuse:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
€ 10,66 € 10,66
€ 7,40 € 74,00
€ 5,88 € 588,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
€ 5,49 € 5.490,00
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von € 5,00 hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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