600 V PrestoMOS™ Super Junction-MOSFETs der 4. Gen.

600 V   PrestoMOS Super Junction-MOSFETs von ROHM Semiconductor der 4. Generation ™ nutzen die patentierte Originaltechnologie zur Beschleunigung der parasitären Diode, wodurch eine extrem schnelle Sperrverzögerung   und ein sofortiger geringerer Stromverbrauch erzielt werden kann.   Das Design des PrestoMOS ermöglicht im Vergleich zu IGBT- Implementierungen eine Reduzierung des Leistungsverlusts von ca. 58 % bei geringer Beanspruchung. Darüber hinaus verhindert das Erhöhen der zum Einschalten des MOSFET erforderlichen Referenzspannung das Selbsteinschalten, das eine der Hauptursachen für Verluste ist. Die optimierte eingebaute parasitäre Diode verbessert den für Super Junction-MOSFETs spezifischen Soft Recovery Index, wodurch Rauschen reduziert wird, das zu Fehlfunktionen führen kann.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
ROHM Semiconductor MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 77A 4th Gen, Fast Recover
Datenblatt
700Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 51 Ohms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
Datenblatt
5 047Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 891Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 8 A 300 mOhms 30 V 6.5 V 21 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 985Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 100 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO3P 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
567Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 600 V 23 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 99 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 940Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 204 mOhms 30 V 6.5 V 27 nC - 55 C + 150 C 61 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Datenblatt
990Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 347 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 165A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 102Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 55 A 71 mOhms 30 V 6.5 V 80 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 105A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 933Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 114 mOhms 30 V 6.5 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 749Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 185 mOhms 30 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 62 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Datenblatt
2 003Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 969Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 153 mOhms 30 V 6.5 V 38 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO247 650V 231A N-CH MOSFET
Datenblatt
1 190Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 77 A 51 mOhms 30 V 6.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
Datenblatt
12Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 260 mOhms 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube