IX4 Ultra-Junction Leistungs-MOSFETs

IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS sind Avalanche-geprüfte n-Kanal Enhancement-MOSFETs mit einer Drain-Source-Durchschlagspannung von 200 V. Die IX4 Ultra-Junction Power MOSFETs von IXYS werden in einem TO-220 (IXTP) oder TO-263 (IXTA) Gehäuse geliefert und bieten 86 A oder 94 A kontinuierlichen Drainstrom.

Ergebnisse: 6
Auswählen Bild Teile-Nr.
 Herst.
Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Technologie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Verpackung
IXYS MOSFETs TO263 200V 86A N-CH X4CLASS
Datenblatt
2 004Auf Lager
€ 13,67
€ 8,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
719Auf Lager
€ 15,04
€ 10,14
€ 8,67
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
Datenblatt
1 147Auf Lager
€ 11,27
€ 6,25
€ 6,24
€ 6,18
€ 5,99
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
Datenblatt
523Auf Lager
€ 9,71
€ 5,42
€ 5,00
€ 4,87
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO263 200V 94A N-CH X4CLASS
Datenblatt
620erwartet ab 07.06.2027
€ 15,27
€ 10,11
€ 8,67
Min.: 1
Mult.: 1
Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 200 V 94 A 10.6 mOhms 20 V 4.5 V 77 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement Tube
IXYS MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 36 Wochen
€ 14,41
€ 8,37
€ 8,01
Min.: 1
Mult.: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 86 A 13 mOhms 20 V 4.5 V 70 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube