TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV)

Toshiba TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs (DTMOSIV) zeichnen sich durch das Chip-Design der DTMOSIV- Generation aus und sind in verschiedenen Ausführungen verfügbar. Die Si-n-Kanal-MOSFETs verfügen über einen niedrigen Drain-Source-On-Widerstand und eine schnelle Sperrverzögerungszeit. Diese MOSFETs können die Gate-Schaltung einfach steuern. Die TK16x60W MOSFETs sind in verschiedenen Abmessungen verfügbar und in verschiedenen DFN8x8-, TO-247-, TO-3P(N)-, D2PAK-, TO-220- und TO-220SIS-Gehäusen untergebracht. Diese  TK16x60W Si-n-Kanal-MOSFETs werden in Schaltspannungsreglern verwendet.