QPD1000A GaN - Transistor mit angepasster Eingangsspannung

Der Qorvo QPD1000A GaN Transistor mit angepasster Eingangsspannung ist ein 15W (P3dB), 50Ω input matched diskreter GaN-on-SiC HEMT, der von 30 MHz bis 1.215 MHz an einer 28V Versorgungsspannung arbeitet. Das integrierte Netzwerk mit angepasster Eingangsspannung ermöglicht eine Breitbandverstärkung und -Leistung, während der Ausgang an Bord angepasst werden kann, um Leistung und Effizienz für jede Region innerhalb des Bandes zu optimieren. Es ist ideal für Basisstationen, Radar- und Kommunikationsanwendungen geeignet und kann sowohl CW- als auch gepulste Betriebsmodi unterstützen. Der Qorvo QPD1000A ist in einem branchenüblichen 6 mm x 5 mm Oberflächenmontage -DFN-Gehäuse untergebracht.