DI006H03SQ

Diotec Semiconductor
637-DI006H03SQ
DI006H03SQ

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs MOSFET, SO-8, 30V, 6A, 150C, N+P

Datenblatt:
ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.
Mehr über
Weitere Informationen zu Diotec Semiconductor DI006H03SQ

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
Diotec Semiconductor
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SO-8
N-Channel, P-Channel
4 Channel
30 V
4.2 A, 6 A
25 mOhms, 50 mOhms
- 20 V, 20 V
1 V, 2 V
11.7 nC, 11.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.5 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marke: Diotec Semiconductor
Konfiguration: Quad
Abfallzeit: 8.7 ns, 13.5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 4 S, 3.5 S
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 15 ns, 4.9 ns
Serie: DI0XX
Verpackung ab Werk: 4000
Unterkategorie: Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit: 17.5 ns, 28.2 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 11.2 ns, 7.5 ns
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

Models

Konformitätscodes
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
Ursprungsklassifikationen
Ursprungsland:
China
Herstellungsland:
Nicht lieferbar
Land der Verbreitung:
Nicht lieferbar
Zum Zeitpunkt der Lieferung kann sich das Land ändern.

Advanced Trench Technology Power MOSFETs

Diotec Semiconductors Advanced Trench Technology Power MOSFETs feature low on-state resistance and fast switching time. These MOSFETs components are available in standard commercial/industrial grading. The power MOSFETs are offered as N, P, or dual N+P channel types in single, dual, and H bridge configurations. These MOSFETs offer a 100mA to 280A current range and a 20V to 250V voltage range.

DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge

Diotec Semiconductor DI006H03SQ N/P-Channel Power MOSFET H-Bridge delivers a low on-state resistance, a low gate charge, and fast switching times. With a wide junction temperature range from -55°C to +150°C, DI006H03SQ provides 1.5W maximum power dissipation and a ±20V maximum continuous gate-source voltage. The low-profile SO-8 packaged DI006H03SQ is geared toward DC/DC converters, power supplies, DC drives, synchronous rectifiers, and commercial/industrial-grade applications.

Auf Lager: 3 908

Lagerbestand:
3 908 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
10 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
€ -,--
Erw. Preis:
€ -,--
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
€ 2,18 € 2,18
€ 1,07 € 10,70
€ 0,955 € 95,50
€ 0,763 € 381,50
€ 0,711 € 1.422,00
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4000)
€ 0,606 € 2.424,00
€ 0,568 € 4.544,00

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten.


Haben Sie eine Frage? Bitte besuchen Sie das Hilfecenter.
Bei Fragen zu einer bestimmten Bestellung melden Sie sich bitte bei Ihrem Konto an.

Sollten Sie weitere Probleme haben, kontaktieren Sie uns bitte unter 800-346-6873 oder senden Sie eine E-Mail an help@mouser.com.