Fortschrittliche IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162

Die fortschrittlichen IGBT-/SiC-Gate-Treiber GD3162 von NXP Semiconductors sind für den Antrieb von SiC- und IGBT-Modulen in xEV-Traktionswechselrichtern ausgelegt. Die GD3162-Treiber von NXP Semiconductors ermöglichen Platzeinsparungen und Leistung durch einen erweiterten Gate-Drive-Funktionsumfang. Das Bauteil enthält eine integrierte galvanische Trennung, eine programmierbare SPI-Schnittstelle und erweiterte Schutzfunktionen wie Übertemperatur-, Entsättigungs- und Strommessschutz. Mit der integrierten Boost-Funktion kann der GD3162 die meisten SiC-MOSFET- und IGBT-/SiC-Modul-Gates direkt ansteuern.

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Menge RoHS ECAD Model Serie
Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Isolierungsspannung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Versorgungsspannung - Max.
Versorgungsspannung - Min.
Verpackung
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
1 677Auf Lager
€ 9,19
€ 7,18
€ 6,67
€ 6,01
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Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
820Auf Lager
528Auf Bestellung
€ 10,07
€ 7,88
€ 7,34
€ 6,93
€ 6,36
Min.: 1
Mult.: 1
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
€ 9,11
€ 7,11
€ 6,61
€ 6,07
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Reel
€ 5,62
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Cut-Tape
€ 9,96
€ 7,78
€ 7,24
€ 6,65
€ 6,57
Reel
€ 6,16
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C 6 V 4.75 V Reel, Cut Tape
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
€ 6,09
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
€ 6,08
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
Reel
€ 6,67
Min.: 1 000
Mult.: 1 000
: 1 000
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Reel
NXP Semiconductors Galvanisch isolierte Gate-Treiber Optimised SiC & IGBT GDIC for xEV traction inverters
Datenblatt
Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 39 Wochen
€ 6,67
Min.: 176
Mult.: 176
GD3162 SMD/SMT SOIC-32 1 Channel 8 kVrms - 40 C + 150 C Tray