IGBT-Gate-Drives mit DC/DC-Wandlern von Murata

Die IGBTs werden häufig in Hochleistungs-Wechselrichtern und Wandlerschaltungen verwendet und erfordern unter Umständen eine erhebliche isolierte Gate-Drive-Leistung für eine optimale Schaltung. Kleine isolierte DC/DC-Wandler können diese Leistung bereitstellen. Die gleichen Überlegungen gelten grundsätzlich für Gate-Drives von Silizium-, Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-MOSFETs.

Ergebnisse: 35
Auswählen Bild Teile-Nr. Herst. Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern. Menge RoHS ECAD Model Technologie Verpackung/Gehäuse Montageart Konfiguration Kollektor-Emitterspannung VCEO max. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter Maximale Gate-Emitter-Spannung Kollektorgleichstrom bei 25 C Pd - Verlustleistung Minimale Betriebstemperatur Maximale Betriebstemperatur Serie Verpackung


Infineon Technologies IGBTs 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package 432Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBTs 600V 30A 187W 564Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 50A 285Auf Lager
480erwartet ab 25.08.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 30A
12 413Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 45 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
960erwartet ab 21.09.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS
960Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies IGBTs 600V 20A 170W
960erwartet ab 25.02.2027
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS Vorlaufzeit 36 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Tube

Infineon Technologies IGBTs LOW LOSS DuoPack 600V 75A
2 400Auf Bestellung
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 80 A 428 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube
Infineon Technologies IGBTs IGBT PRODUCTS Nicht-auf-Lager-Vorlaufzeit 30 Wochen
Min.: 1
Mult.: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 H5 Tube