1.200 V C4MS Diskrete SiC-MOSFETs

1.200 V C4MS Diskrete Siliciumcarbid(SiC)-MOSFETs von Wolfspeed bieten eine unübertroffene Leistung in hartgeschalteten Applikationen. Die C4MS-Produktfamilie verwendet eine schnelle und weiche Body-Diode, die ein schnelles Schalten mit minimalem Überschwingen und Nachschwingen ermöglicht und somit den nutzbaren Designraum für Ingenieure erweitert, um die Leistung in der Applikation abzustimmen und zu optimieren. Die C4MS-Produktfamilie bietet im Vergleich zur C3M-Produktfamilie verbesserte Eon-, ERR- und Eoff-Verluste bei gleichzeitig niedrigem RDS(on)-Temperaturkoeffizienten. Dieser ausgewogene Ansatz gewährleistet maximale Leistung und Effizienz über eine große Auswahl an hart- und weichschaltenden Topologien hinweg.

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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
310Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Datenblatt
546Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 340 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
308Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,36m,1200V, TSC (U2), Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 09.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 69 A 36 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 357 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 429 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 25m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 86 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 366 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,25m,1200V, TSC (U2), Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 18.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 94 A 25 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 125 nC - 40 C + 175 C 455 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 36m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 60 A 36 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 88 nC - 40 C + 175 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,47m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 280 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 47m, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 50 A 47 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 241 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,47m,1200V, TSC (U2), Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 15.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 54 A 47 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 68 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,65m,1200V, TO-263-7 XL T&R , Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TO-263-7XL 1 Channel 1.2 kV 40 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 211 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET,65m,1200V, TSC (U2), Industrial
Datenblatt
800erwartet ab 18.06.2027
Min.: 1
Mult.: 1
: 800
SMD/SMT TSC (U2)-9 1 Channel 1.2 kV 42 A 65 mOhms - 10 V + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 215 W Enhancement
Wolfspeed SiC-MOSFETs SiC, MOSFET, 65m, 1200V, TO-247-4, Industrial
Datenblatt
450erwartet ab 23.11.2026
Min.: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 39 A 65 mOhms - 10 V, + 23 V 2.6 V 51 nC - 40 C + 175 C 182 W Enhancement