Bipolar Transistors

Toshiba Bipolar Transistors are pre-biased transistors designed for low noise and low saturation voltage applications. These bipolar transistors are AEC-Q101 qualified and offer PNP, NPN, NPN + NPN, PNP + PNP, and NPN + PNP polarities for operation. These transistors are available in 25MHz, 30MHz, 35MHz, 55MHz, 100MHz, 120MHz, 200MHz, and 300MHz transition frequency with 3 pin, 5pin, 6pin, and 8pin variants.

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Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN Epitaxial Transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT POWER TRANSISTOR PC=150W; F=30MHZ
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2 825erwartet ab 15.01.2027
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-3P-3 NPN

Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP 150W -15A 80 HFE -3V -230V
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole 2-21F1A-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT 120V 100MA PNP TRANSISTOR
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66 000erwartet ab 04.09.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT TRANS-SS PNP SOT23 30V
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-59-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NSM PLN TRANSIST Pd=150mW F=1MHz
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BJTs - Bipolar Transistors Si
Toshiba Bipolartransistoren - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR TO-3PL PC=150W F=100KHZ
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625erwartet ab 21.08.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Through Hole TO-3P-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT X35 Pb-FREE POWER TRANSISTOR PW-MINI IC=-0.5A V=-400
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BJTs - Bipolar Transistors SMD/SMT 2-5K1A-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR PW-MINI MOQ=1000 PD=2.5W F=1MHZ
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-62-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-346-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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6 000erwartet ab 16.10.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236MOD-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT TO-236-3 NPN

Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN 100V VCBO 50V VCEO 3A IC
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole NPN

Toshiba Bipolartransistoren - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SM-6 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SOT-563-6 NPN, PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT NPN PWR Amp Trans 1.5A IC 3A 1.1W
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BJTs - Bipolar Transistors Si Through Hole TO-251-3 NPN
Toshiba Bipolartransistoren - BJT PNP Transistor -50V USM -0.15A -0.3V
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9 000erwartet ab 25.09.2026
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Bias Resistor Built-in transistor
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT SC-70-3 PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT Transistor for Low Freq. Amplification
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT PNP
Toshiba Bipolartransistoren - BJT X35 Pb-F POWER TRANSISTOR; TSM; MOQ=3000; PC=1W; F=100KHZ
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BJTs - Bipolar Transistors Si SMD/SMT 2-3S1C-3 PNP