eMode GaN-FETs

Die Nexperia eMode GaN FETs sind in einem Spannungsbereich von 100 V bis 650 V mit überragender Schaltleistung erhältlich. Diese GaN FETs bieten aufgrund ihrer niedrigen QC- und QOSS-Werte schnelle Übergangsfunktionen, was zu einer hervorragenden Energieeffizienz führt.

Ergebnisse: 18
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Beschreibung Datenblatt Verfügbarkeit Preis (EUR) Ergebnisse in der Tabelle nach dem Einheitspreis bei Ihrer Menge filtern.
Menge RoHS ECAD Model Montageart
Verpackung/Gehäuse
Transistorpolung
Anzahl der Kanäle
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung
Id - Drain-Gleichstrom
Rds On - Drain-Source-Widerstand
Vgs - Gate-Source-Spannung
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung
Qg - Gate-Ladung
Minimale Betriebstemperatur
Maximale Betriebstemperatur
Pd - Verlustleistung
Kanalmodus
Technologie
Nexperia GaN FETs GAN140-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Datenblatt
1 756Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms 1.2 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANC035-650TBH/SOT8136/TOLL
Datenblatt
238Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650UTH/SOT8155/TOLT
Datenblatt
250Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC035-650VSH/SOT8071/TO247-4
Datenblatt
249Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650TBH/SOT8136/TOLL
Datenblatt
160Auf Lager
90erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650UTH/SOT8155/TOLT
Datenblatt
220Auf Lager
30erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANC070-650WSH/SOT429/TO247-3
Datenblatt
240Auf Lager
10erwartet ab 19.10.2026
Min.: 1
Mult.: 1

Nexperia GaN FETs GANE140-700BBA/SOT428/DPAK
Datenblatt
2 405Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 17 A 140 mOhms 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE190-700BBA/SOT428/DPAK
Datenblatt
2 393Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 11.5 A 190 mOhms 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-650FBA/SOT8075/DFN5060
Datenblatt
1 881Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5 P-Channel 1 Channel 650 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE350-700BBA/SOT428/DPAK
Datenblatt
2 329Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 6 A 350 mOhms 7 V 2.5 V 1.5 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN080-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Datenblatt
1 882Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 6.2 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Datenblatt
2 334Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN3R2-100CBE/SOT8072/WLCSP8
Datenblatt
857Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 1 500

SMD/SMT WLCSP-8 N-Channel 1 Channel 100 V 60 A 3.2 mOhms - 6 V, + 6 V 2.5 V 12 nC - 40 C + 150 C 394 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN7R0-150LBE/SOT8073/FCLGA
Datenblatt
2 237Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT FCLGA-3 N-Channel 1 Channel 150 V 28 A 7 mOhms - 6 V, + 6 V 2.1 V 7.6 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GANE240-700BBA/SOT428/DPAK
Datenblatt
2 488Auf Lager
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT TO-252-3 P-Channel 1 Channel 700 V 10 A 240 mOhms 7 V 2.5 V 2 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN190-650EBE/SOT8074/DFN8080-
Datenblatt
566Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-8080-8 N-Channel 1 Channel 650 V 11.5 A 190 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 2.8 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement GaN
Nexperia GaN FETs GAN140-650FBE/SOT8075/DFN5060-
Datenblatt
52Auf Lager
MouseReel verfügbar
Min.: 1
Mult.: 1
: 2 500

SMD/SMT DFN-5060-5 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 140 mOhms - 7 V, + 7 V 2.5 V 3.5 nC - 55 C + 150 C 113 W Enhancement GaN